[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410618097.2 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105575815B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 何志斌;景旭斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡杰赟;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、位于栅介质层上的栅电极层和位于栅电极层上的硬掩膜层；在所述栅电极层的侧壁表面形成氧化层；刻蚀所述硬掩膜层，去除所述硬掩膜层的一部分以暴露出所述栅电极层的肩部；形成覆盖所述半导体衬底表面、栅极结构表面和栅电极层肩部的侧墙材料层，所述侧墙材料层与所述肩部接触的部分至少部分地利用所述肩部的材料形成；以及采用干法刻蚀工艺去除位于所述半导体衬底表面和所述栅极结构顶表面的侧墙材料层，位于所述栅极结构侧壁表面的侧墙材料层形成侧墙。本发明的半导体器件的形成方法可以有效改善栅极锗硅残余缺陷的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 栅电极层 侧墙材料层 肩部 半导体器件 硬掩膜层 栅极结构 半导体衬底表面 栅介质层 衬底 去除 半导体 干法刻蚀工艺 栅极结构表面 栅极结构侧壁 材料形成 残余缺陷 侧壁表面 顶表面 氧化层 侧墙 刻蚀 锗硅 暴露 覆盖 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、位于栅介质层上的栅电极层和位于栅电极层上的硬掩膜层；在所述栅电极层的侧壁表面形成氧化层；刻蚀所述硬掩膜层，去除所述硬掩膜层的一部分以暴露出所述栅电极层的肩部；形成覆盖所述半导体衬底表面、栅极结构表面和栅电极层肩部的侧墙材料层，所述侧墙材料层与所述肩部接触的部分至少部分地利用所述肩部的材料形成；以及采用干法刻蚀工艺去除位于所述半导体衬底表面和硬掩膜层顶表面的侧墙材料层，位于所述栅极结构侧壁表面的侧墙材料层形成侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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