[发明专利]一种双栅极沟槽MOS单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201410532499.0 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104241387B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 王金 | 申请（专利权）人： | 徐静恒 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙) 44394 | 代理人： | 胡慧 |
| 地址： | 321100 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双栅极沟槽MOS单元及其制备方法，其中，双栅极沟槽MOS单元包括第一栅极及其第一栅极绝缘层，其中，所述第一栅极绝缘层为氮化硅层。采用上述方案，本发明采用氮化硅层隔离氧气，有利于防止氧化，并且简化工艺流程，降低缺陷，提升良率，具有很高的市场应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 沟槽 mos 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双栅极沟槽MOS单元，其包括第一栅极及其第一栅极绝缘层、第二栅极及其第二栅极氧化层，其特征在于，所述第一栅极绝缘层为氮化硅层；在所述第一栅极与第一栅极氧化层之间的氮化硅层的厚度，为所述第一栅极氧化层的厚度的150%至200%；所述第一栅极氧化层邻接所述氮化硅层的一面还设置若干凹槽，若干所述氮化硅层邻接所述第一栅极氧化层的一面还设置若干凸槽，每一凸槽对应于一凹槽；所述第一栅极氧化层与第二栅极氧化层连通设置；第一栅极与第二栅极掺杂离子设置；第二栅极的掺杂浓度高于第一栅极的掺杂浓度，第二栅极位于第一栅极之上，以在所述双栅极沟槽MOS单元表面形成重参杂低电阻的栅极。
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