[发明专利]一种具有复合钝化层结构的场效应晶体管在审
| 申请号： | 201410457922.5 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104347701A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;陈南庭;潘沛霖;白智元;刘东;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/08 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有复合钝化层的场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化镓缓冲层，氮化镓沟道层，铝镓氮势垒层以及在势垒层上形成有源极、漏极，源极及漏极与势垒层形成欧姆接触，在器件表面覆盖有一层钝化层。在栅极与漏极之间的钝化层由具有较高介电常数的绝缘材料(高-K介质)和具有较低介电常数的绝缘材料(低-K介质)在横向上复合而成。由于高-K和低-K介质层组成的边界能改变周围的电场分布，从而在器件沟道中引入电场峰值，使得沟道电子气得以充分耗尽，以此提升器件的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 钝化 结构 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有复合钝化层的场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底(307)、氮化镓(GaN)缓冲层(306)、氮化镓(GaN)沟道层(305)、铝镓氮(AlGaN)势垒层(304)组成，在势垒层(304)上形成有源极(301)、漏极(302)和栅极(303)，源极(301)和漏极(302)均与势垒层(304)成欧姆接触，栅极(303)与势垒层(304)形成肖特基接触，在所述栅极(303)与漏极(302)之间的势垒层(304)的上表面、以及在栅极(303)与源极(302)之间的势垒层(304)的上表面覆盖有一层钝化层(308、309)，其特征在于，在所述的位于栅极(303)与漏极(302)之间的钝化层(309)区域中，还设有一个以上的所用材料相对介电系数均低于钝化层(309)(称为高‑K介质层)所用材料相对介电系数的低‑K介质层(310、311、312)，由于高‑K和低‑K介质层的接触能改变界面周围的电场分布，从而在器件沟道(305)中引入电场峰值，使沟道电子气得以充分耗尽，以此提升器件的耐压能力。
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