[发明专利]高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201410414271.1 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN104425585B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 邱显钦;童建凯;林恒光;杨治琟;王祥骏 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包含：一基板；一外延叠层位于基板上，包含第一区域及环绕第一区域的第二区域；一阵列电极结构位于第一区域；以及多个第一电桥电连接至多个第二电极。阵列电极结构包含：多个第一电极位于外延叠层上，及多个第二电极位于外延叠层上并相邻于多个第一电极。多个第一电桥其中之一位于两个第二电极之间并横跨多个第一电极其中之一。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，包含：基板；外延叠层，位于该基板上，包含第一区域及环绕该第一区域的第二区域；阵列电极结构，位于该第一区域，包含：多个第一电极，位于该外延叠层上；多个第二电极，位于该外延叠层上，并相邻于该多个第一电极；以及多个第三电极相邻于该多个第一电极及该多个第二电极；多个第一电桥电连接该多个第二电极，该多个第一电桥其中之一位于两个该多个第二电极之间，并横跨该多个第一电极其中之一；以及多个第二电桥电连接该多个第三电极；其中该多个第一电极为栅极，该多个第二电极为源极，该多个第三电极为漏极。
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