[发明专利]鳍式场效晶体管及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201410406287.8 申请日: 2014-08-18
公开(公告)号: CN105244380A 公开(公告)日: 2016-01-13
发明(设计)人: 吴彦良;童宇诚;李镇全;吕水烟 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种鳍式场效晶体管(FinFET)及其制造方法。一FinFET包括具有一上表面的一基板和一绝缘物(insulation)形成于基板的上表面上。基板上具有至少一凹陷鳍部(recessed fin)自基板上表面向上延伸。绝缘物包括邻近凹陷鳍部的一外侧部(lateral portion),和邻接外侧部的一中央部(central portion),其中外侧部的一上表面高于中央部的一上表面。凹陷鳍部的一上表面低于中央部的上表面。
搜索关键词: 鳍式场效 晶体管 及其 制造 方法
【主权项】:
一种鳍式场效晶体管(FinFET),包括:基板,具有一上表面和至少一凹陷鳍部(recessed fin)自该上表面向上延伸;绝缘物(insulation),形成于该基板的该上表面上,该绝缘物包括:外侧部(lateral portion)邻近该凹陷鳍部;和中央部(central portion)邻接该外侧部,且该外侧部的一上表面高于该中央部的一上表面;其中,该凹陷鳍部的一上表面低于该中央部的该上表面。
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