[发明专利]具有凹陷顶面的源极/漏极应力源

摘要

本发明提供了一种具有源极/漏极应力源的集成电路结构，包括栅叠件，位于半导体衬底上方；以及硅锗区，延伸至半导体衬底内并且与栅叠件邻近。硅锗区具有顶面，并且顶面的中心部分从顶面的边缘部分凹陷从而形成凹槽。边缘部分位于中心部分的相对两侧。本发明还提供了一种形成该具有源极/漏极应力源的集成电路结构的方法。

主权项

一种集成电路结构，包括：半导体衬底；第一栅叠件，位于所述半导体衬底上方；以及第一硅锗区，延伸至所述半导体衬底内并且与所述第一栅叠件邻近，其中，所述第一硅锗区包括第一顶面，并且所述第一顶面的中心部分从所述第一顶面的边缘部分凹陷从而形成凹槽，并且所述边缘部分位于所述中心部分的相对两侧，不含锗的硅盖，位于所述第一硅锗区上方并且与所述第一顶面直接接触；第二栅叠件，位于所述半导体衬底上方；第二开口，延伸至所述半导体衬底内，其中，所述第二开口与所述第二栅叠件邻近；以及第二硅锗区，位于所述第二开口中，其中，所述第二硅锗区包括第二顶面，并且所述第二顶面不具有凹陷的中心部分；其中，所述第一顶面高于所述第一栅叠件与所述半导体衬底的顶面之间的界面；所述第一硅锗区位于所述第一栅叠件和第三栅叠件之间，而在所述第一栅叠件和所述第三栅叠件之间没有附加的栅叠件，所述第二硅锗区位于所述第二栅叠件和第四栅叠件之间，而在所述第二栅叠件和所述第四栅叠件之间没有附加的栅叠件，并且所述第一栅叠件和所述第三栅叠件之间的第一距离大于所述第二栅叠件和所述第四栅叠件之间的第二距离。