[发明专利]一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410311885.7 | 申请日： | 2014-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN104037216B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 冯倩;董良;代波;杜锴;郑雪峰;杜鸣;张春福;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/51;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源极、钝化层1、有机绝缘层PTFE、钝化层2和漏极，所述有机绝缘层PTFE和漏极间设有钝化层2，所述有机绝缘层PTFE上设有ITO栅电极，所述ITO栅电极与所述源极间设有钝化层1，所述ITO栅电极向源极方向延伸填充钝化层1与有机绝缘层PTFE间的区域。本发明采用PTFE和ITO产生偶极子层减小了栅漏局部区域的2DEG，提高了击穿电压；并利用ITO栅场板，再次提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 偶极层 高压 algan gan mishemt 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN MISHEMT器件结构，其特征在于，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源极、钝化层1、有机绝缘层PTFE、钝化层2和漏极，所述有机绝缘层PTFE和漏极之间设有钝化层2，所述有机绝缘层PTFE上设有ITO栅电极，所述ITO栅电极与所述源极之间设有钝化层1，所述ITO栅电极向源极方向延伸填充钝化层1与有机绝缘层PTFE间的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410311885.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种润滑油添加剂
- 下一篇：感光装置以及感光装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
