[发明专利]发光器件和发光器件封装有效
申请号: | 201410287480.4 | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN104241493B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 金英焄 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/44 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 周燕,夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种发光器件和发光器件封装。公开一种发光器件。发光器件包括衬底之下的发光结构,其中至少一个第一接触区域和至少一个第二接触区域被限定,和发光结构之下的具有相互不同的折射率的多个层。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:衬底;发光结构,所述发光结构在所述衬底之下,其中,所述发光结构至少包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层,并且其中,至少一个第一接触区域和邻近于所述第一接触区域的至少一个第二接触区域被限定;反射结构,所述反射结构在所述发光结构之下,所述反射结构包括具有相互不同的折射率的多个层;第一电极,所述第一电极设置在所述第一接触区域中;以及第二电极,所述第二电极设置在所述第二接触区域中,其中,所述反射结构设置在所述第一电极和所述第二电极之间,并且所述反射结构具有反射和绝缘特性,其中,所述第一电极包括:第一电极层,所述第一电极层被布置在所述第一导电半导体层的下表面上;和第二电极层,所述第二电极层被布置在所述第一电极层的下表面和所述反射结构上,其中,所述第二电极包括:第一电极层,所述第一电极层被布置在所述第二导电半导体层的下表面上;和第二电极层,所述第二电极层被布置在所述第一电极层的下表面上,其中,所述第二电极的第二电极层的宽度大于所述第二电极的第一电极层的宽度,其中所述第二电极的第二电极层覆盖所述反射结构。
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