[发明专利]一种半导体器件以及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410279852.9 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN105197876B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;李华乐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件以及制备方法、电子装置，所述方法包括提供基底，在所述基底上形成有底部电极和第一介电层；在所述第一介电层上依次形成牺牲材料层、第二介电层和顶部电极；图案化所述顶部电极，以形成开口，露出所述第二介电层；以所述顶部电极为掩膜蚀刻所述第二介电层，以露出所述牺牲材料层；以所述顶部电极和所述第二介电层为掩膜蚀刻所述牺牲材料层，以将所述开口转移至所述牺牲材料层中，露出所述第一介电层；其中，所述顶部电极的蚀刻速度和所述牺牲材料层的蚀刻速度相近。本发明所述方法使所述牺牲材料层的蚀刻速度和所述顶部电极的蚀刻速度大致相同，进一步提高了器件的良率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 以及 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，在所述基底上形成有底部电极和第一介电层；在所述第一介电层上依次形成牺牲材料层、第二介电层和顶部电极；图案化所述顶部电极，以形成开口，露出所述第二介电层；以所述顶部电极为掩膜蚀刻所述第二介电层，以露出所述牺牲材料层；以所述顶部电极和所述第二介电层为掩膜蚀刻所述牺牲材料层，以将所述开口转移至所述牺牲材料层中，露出所述第一介电层；其中，所述顶部电极的蚀刻速度和所述牺牲材料层的蚀刻速度相近，以避免所述牺牲材料层发生侧向侵蚀现象。
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