[发明专利]一种HEMT器件及制备方法有效
| 申请号： | 201410257470.6 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104134689B | 公开（公告）日： | 2018-02-09 |
| 发明（设计）人： | 鲁微 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种HEMT器件，包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极，所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间，所述衬底设有朝向成核层设置的器件面及背离所述器件面的衬底背面，自所述衬底背面开设有源极背孔及沟道背孔，所述源极背孔将所述衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层贯通并延伸至所述源极，所述沟道背孔贯通所述衬底的至少一部分，所述HEMT器件还设有导热导电层，所述导热导电层填充于所述源极背孔及沟道背孔中并覆盖所述衬底背面。本发明还提供一种HEMT器件的制备方法。本发明的HEMT器件具有较佳的导热能力，且其制备方法与常规源背孔工艺兼容，不影响HEMT器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种HEMT器件，其特征在于：包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极，所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间，所述衬底设有朝向成核层设置的器件面及背离所述器件面的衬底背面，自所述衬底背面开设有源极背孔及沟道背孔，所述源极背孔将所述衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层贯通并延伸至所述源极，所述沟道背孔贯通所述衬底的至少一部分，所述HEMT器件还设有导热导电层，所述导热导电层填充于所述源极背孔及所述沟道背孔中并覆盖所述衬底背面，所述导热导电层设置为由多层金属层层叠设置而成的层级结构，所述多层金属层之各层设置为不同的金属材料。
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