[发明专利]埋入式字线及其隔离结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种埋入式字线及其隔离结构的制造方法，包括先在基板上形成多层掩膜结构，并以此多层掩膜结构为掩膜来蚀刻基板，以形成隔离结构沟槽，再在隔离结构沟槽内形成顶部低于多层掩膜结构表面的隔离材料。之后，在隔离结构沟槽内分别形成多晶硅层，并通过移除部分多层掩膜结构，使多晶硅层凸出，以便于多晶硅层的侧壁形成多晶硅间隔壁，进而形成多个自行对准沟槽。然后，在自行对准沟槽内形成另一多晶硅层，再以多晶硅间隔壁与多晶硅层为蚀刻掩膜进行蚀刻，以形成多个埋入式字线沟槽，再在埋入式字线沟槽内形成埋入式字线。本发明能有效降低字线之间的干扰。

主权项

一种埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：所述方法包括：在基板的表面上形成多层掩膜结构，以露出部分所述基板，其中所述多层掩膜结构至少包括第一氧化层、第一氮化层与第二氧化层；以所述多层掩膜结构为蚀刻掩膜，蚀刻去除暴露出的所述基板，以形成多个隔离结构沟槽；在所述多个隔离结构沟槽内形成隔离材料，且所述隔离材料的顶部低于所述第二氧化层的表面；在所述多个隔离结构沟槽内的所述隔离材料上分别形成第一多晶硅层；移除所述多层掩膜结构内的所述第二氧化层，以使所述第一多晶硅层凸出于所述第一氮化层；在所述第一多晶硅层的侧壁形成多个多晶硅间隔壁；在所述第一氮化层、所述第一多晶硅层与所述多个多晶硅间隔壁上共形地沉积第三氧化层，以形成多个自行对准沟槽；在所述多个自行对准沟槽内形成第二多晶硅层，并露出所述第三氧化层的顶面；以所述第二多晶硅层、所述第一多晶硅层与所述多个多晶硅间隔壁为蚀刻掩膜，蚀刻去除露出的所述第三氧化层、所述多层掩膜结构内的所述第一氮化层与所述第一氧化层，并持续蚀刻至所述基板内，以形成多个埋入式字线沟槽；以及在所述多个埋入式字线沟槽内形成埋入式字线。