[发明专利]提高大尺寸硅片器件性能均匀性的方法

摘要

本发明提出了一种提高大尺寸硅片器件性能均匀性的方法，在形成第一道侧墙之后，栅介质层会如背景技术所提及的原因导致在不同区域的厚度有差别，采用化学酸液全部去除栅极两侧的栅介质层，然后使用原位水汽生长工艺在半导体衬底表面重新形成厚度一致的栅介质层，由于原位水汽生长工艺形成的栅介质层在不同密度区域的厚度也一致，能避免不同厚度栅介质层对后续轻掺杂漏工艺注入的影响，进而能够保证形成的器件的电性均匀性。

主权项

一种提高大尺寸硅片器件性能均匀性的方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面上形成有栅介质层、位于所述栅介质层表面的栅极以及位于所述栅极两侧的第一道侧墙；使用化学酸液去除位于栅极两侧和半导体衬底表面的栅介质层，暴露出半导体衬底；使用原位水汽生长工艺在半导体衬底表面重新形成栅介质层。