[发明专利]MEMS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410097373.5 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103832968A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张振兴;奚裴;熊磊;王健鹏;时廷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS器件的制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成氮化钽层；在所述氮化钽层上形成介质抗反射层；在所述介质抗反射层上涂布光刻胶并对所述介质抗反射层和氮化钽层进行刻蚀，形成沟槽；对形成有所述沟槽的MEMS器件执行加强的灰化和湿法清洗工艺。在本发明提供的MEMS器件的制造方法中，通过在氮化钽层上形成介质抗反射层用以隔离氮化钽层，所述介质抗反射层能够防止氮化钽层在加强的灰化工艺中与光刻胶发生反应生成含钽类聚合物，从而避免因含钽类聚合物覆盖而产生光刻胶或BRAC残留物，同时，能够在加强的灰化工艺中保持沟槽宽度。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成氮化钽层；在所述氮化钽层上形成介质抗反射层；在所述介质抗反射层上涂布光刻胶并进行光刻；对所述介质抗反射层和氮化钽层进行刻蚀，形成沟槽；对形成有所述沟槽的MEMS器件执行加强的灰化和湿法清洗工艺。
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