[发明专利]减少双端存储器金属电极中的扩散有效
| 申请号： | 201410096551.2 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051277B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | S·P·麦克斯维尔;赵星贤 | 申请（专利权）人： | 科洛斯巴股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;陈英俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述减少其外部材料扩散的双端存储器。在某些实施例中，双端存储器单元可以包括电极层。电极层可至少部分地渗入发生离子或化学反应的材料，例如氧气等。双端存储器可进一步包括被置于电极层与外部材料之间的扩散缓解材料。该扩散缓解材料可被选择为减少或防止不希望的元素或化合物的扩散，从而减少或避免这些元素或化合物对电极层的暴露。因此，由于与不希望的元素或化合物接触导致的双端存储器劣化可通过多个公开的实施例缓解。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 存储器 金属电极 中的 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种设置在单片叠层中的存储器单元，包括：下电极，其包括导电材料；切换介质，其包括电阻材料；上电极，其包括第一金属，所述第一金属响应于施加到所述存储器单元的电场而在所述上电极与所述切换介质的边界上产生所述第一金属的离子，其中所述切换介质至少部分地能够渗入所述第一金属的离子；以及钝化层，其包括被置于所述上电极的与所述切换介质相对的一侧的非贵金属，其中所述钝化层减少一种或多种大气气体向所述上电极中的扩散。
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- 本发明提供一种用于减少沉积在半导体基板上的薄膜上的缺陷的设备及方法。本发明的一个实施例提供一种用于在基板上沉积薄膜的方法。该方法包括：用第一等离子体处理该基板，且该第一等离子体被配置成减少在该基板上已存在的缺陷；以及通过施加由至少一种前驱物及至少一种反应物气体所产生的第二等离子体，而在该基板上沉积一种包括硅和碳的薄膜。
- 包括不连续存储元件的电子器件-200680027201.4
- G·L·金达洛雷;P·A·英格索尔;C·T·斯威夫特 - 飞思卡尔半导体公司
- 2006-07-24 - 2009-07-29 - H01L21/44
- 一种电子器件，可包括不连续存储元件(64)，其位于沟槽(22，23)之内。该电子器件可包括具有沟槽的衬底，该沟槽具有壁和底部并且从衬底(12)的主表面延伸。该电子器件还可包括不连续存储元件，其中该不连续存储元件的一部分至少位于该沟槽之内。该电子器件可进一步包括第一栅电极，其中至少部分该不连续存储元件的一部分位于该第一栅电极和该沟槽的壁之间。该电子器件可进一步包括位于该第一栅电极和该衬底的该主表面之上的第二栅电极。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
