[发明专利]芯片封装和用于制造该芯片封装的方法有效
| 申请号： | 201410094226.2 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051363B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | F.德赫;H.埃韦;J.赫格劳尔;J.马勒;R.皮塔西;A.普罗伊克尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马丽娜,胡莉莉 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 芯片封装和用于制造该芯片封装的方法。各种实施例提供了一种芯片封装。该芯片封装可包括金属芯片载体；由所述金属芯片载体承载的至少一个芯片；密封材料，其将所述至少一个芯片和所述金属芯片载体密封；以及多个重新分布层，其被设置在与金属芯片载体相对的所述至少一个芯片上，其中所述多个重新分布层中的至少一个重新分布层与所述至少一个芯片电耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片封装，包括：金属芯片载体；至少一个芯片，其由所述金属芯片载体承载；密封材料，其将所述至少一个芯片和所述金属芯片载体密封；多个重新分布层，其被设置在与所述金属芯片载体相对的所述至少一个芯片上，其中，所述多个重新分布层中的至少一个重新分布层与所述至少一个芯片电耦合；至少一个接触孔，其延伸通过密封材料以将所述至少一个芯片与所述多个重新分布层中的至少一个电耦合；以及导电层，其被设置在与所述多个重新分布层相对的金属芯片载体上。
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