[发明专利]MEMS牺牲层刻蚀方法无效
| 申请号： | 201410083007.4 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103896205A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 赵大国;马清杰;王赞 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 401331 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及MEMS制造领域，尤其涉及一种MEMS牺牲层刻蚀方法。本发明公开了一种MEMS牺牲层刻蚀方法，通过在牺牲层上制备SiO/SiN双层掩膜或者掩膜分步刻蚀工艺，均能有效的改善由于在刻蚀工艺中产生的聚合物覆盖在光刻胶，致使光刻胶不易去除，给后续工艺带来缺陷的问题，还能进一步的提高刻蚀工艺后剩余的牺牲层的形貌质量，进而大大提高了器件的性能和产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | mems 牺牲 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS牺牲层刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体结构；于所述半导体结构上制备牺牲层；于所述牺牲层上依次沉积氮化硅层和氧化硅层；回蚀部分所述氧化硅层至所述氮化硅层；以剩余的氧化硅层为掩膜，刻蚀部分所述氮化硅层至所述牺牲层；继续以所述剩余的氧化硅层和剩余的氮化硅层为掩膜，刻蚀部分所述牺牲层至所述半导体结构；去除所述剩余的氧化硅层和所述剩余的氮化硅层，于剩余的牺牲层中形成联通孔。
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