[发明专利]一种防缺陷的半导体器件蚀刻方法及半导体器件形成方法有效
| 申请号： | 201410071500.4 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104882375B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 华强;周耀辉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种防缺陷的半导体器件蚀刻方法及半导体器件形成方法，应用于物理轰击蚀刻方式、化学蚀刻方式并行的蚀刻中，所述物理轰击蚀刻方式及化学蚀刻方式会在半导体器件蚀刻形成的多晶层表面留有阻碍蚀刻氧化物，所述蚀刻方法包括：通过对应所述阻碍蚀刻氧化物材质的第一蚀刻气体进行蚀刻，以去除所述阻碍蚀刻氧化物；在不关闭所述物理轰击蚀刻方式的情况下，通过对应所述多晶层材质的第二蚀刻气体进行蚀刻，以蚀刻掉所述阻碍蚀刻氧化物下的多晶层多余部分，从而省去频繁清洗腔体部分、干清洁晶圆之间的时间，节省设备折损及人力成本，并从根本上解决半导体蚀刻中微小缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 半导体器件 蚀刻氧化物 物理轰击 多晶层 化学蚀刻方式 阻碍 蚀刻气体 防缺陷 半导体蚀刻 节省设备 清洗腔体 人力成本 微小缺陷 晶圆 去除 折损 并行 清洁 应用 | ||
【主权项】：
1.一种防缺陷的半导体器件蚀刻方法，应用于物理轰击蚀刻方式、化学蚀刻方式并行的蚀刻中，所述物理轰击蚀刻方式及化学蚀刻方式会在半导体器件蚀刻形成的多晶层表面留有阻碍蚀刻氧化物，其特征在于，所述蚀刻方法包括：通过对应所述阻碍蚀刻氧化物材质的第一蚀刻气体进行蚀刻，以去除所述阻碍蚀刻氧化物；在不关闭所述物理轰击蚀刻方式的情况下，通过对应所述多晶层材质的第二蚀刻气体进行蚀刻，以蚀刻掉所述阻碍蚀刻氧化物下的多晶层多余部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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