[发明专利]一种台阶封装基板台阶处垫平制作方法有效
| 申请号： | 201410062374.6 | 申请日： | 2014-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN103811303A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 穆敦发;陈文录;吴梅珠;徐杰栋;刘秋华;胡广群;梁少文;吴小龙 | 申请（专利权）人： | 无锡江南计算技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 龚燮英 |
| 地址： | 214083 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种台阶封装基板台阶处垫平制作方法，包括：第一步骤，用于在基板介质、导体层、半固化片层和上部基材层的叠层中铣切出台阶凹槽以形成台阶结构，从而在基板介质上形成台阶处外露的导体；第二步骤，用于在台阶位置布置填充物，其中填充物与基板介质、导体层、半固化片层和上部基材层的材料不发生化学反应；第三步骤，用于执行层压以便对半固化片进行充分的加压；第四步骤，用于在层压后移除填充物，从而露出台阶结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 台阶 封装 垫平 制作方法 | ||
【主权项】：
一种台阶封装基板台阶处垫平制作方法，其特征在于包括：第一步骤，用于在基板介质、导体层、半固化片层和上部基材层的叠层中铣切出台阶凹槽以形成台阶结构，从而在基板介质上形成台阶处外露的导体；第二步骤，用于在台阶位置布置填充物，其中填充物与基板介质、导体层、半固化片层和上部基材层的材料不发生化学反应；第三步骤，用于执行层压以便对半固化片进行充分的加压；第四步骤，用于在层压后移除填充物，从而露出台阶结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
