[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明涉及非易失性半导体存储器件及其制造方法。根据一个实施例，一种非易失性半导体存储器件包括半导体区域、元件隔离区域、控制栅电极、浮栅层、第一绝缘膜、第二绝缘膜、选择栅电极和接触电极。所述元件隔离区域设置在所述半导体区域之间。所述控制栅电极设置在所述半导体区域上。所述浮栅层设置在所述半导体区域与所述控制栅电极相互交叉的位置上。所述第一绝缘膜设置在所述浮栅层与所述半导体区域之间。所述第二绝缘膜设置在所述浮栅层与所述控制栅电极之间。所述选择栅电极设置在所述半导体区域上。所述接触电极被置于所述选择栅电极的与所述控制栅电极相反的一侧，并且与所述半导体区域之一接触。

主权项

一种非易失性半导体存储器件，包括：多个半导体区域，其沿第一方向延伸并且沿与所述第一方向交叉的第二方向排列；元件隔离区域，其设置在所述多个半导体区域中的相邻区域之间；多个控制栅电极，其设置在所述多个半导体区域的上侧，沿所述第二方向延伸，并且沿所述第一方向排列；浮栅层，其设置在所述多个半导体区域中的每个与所述多个控制栅电极中的每个相互交叉的位置上；第一绝缘膜，其设置在所述浮栅层与所述多个半导体区域中的每个之间；第二绝缘膜，其设置在所述浮栅层与所述多个控制栅电极中的每个之间；选择栅电极，其通过所述第一绝缘膜设置在所述多个半导体区域上，沿所述第二方向延伸，并且被置于所排列的所述多个控制栅电极的末端；以及接触电极，其被置于所述选择栅电极的与所述多个控制栅电极相反的一侧，沿第三方向从所述多个控制栅电极侧朝着所述多个半导体区域侧延伸，并且与所述多个半导体区域之一接触，所述接触电极的下端位于所述选择栅电极下方的所述半导体区域的上表面的下侧，所述接触电极设置在所述半导体区域的所述上表面的位置下侧的一部分的宽度，在所述第一方向上大于所述接触电极在所述上表面的位置的宽度。