[发明专利]MEMS结构与处理电路集成系统的新型封装方法有效

专利信息
申请号: 201410048811.9 申请日: 2014-02-12
公开(公告)号: CN103818874A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 杨静;张富强;孟美玉;李光北;孙俊敏;钟立志 申请(专利权)人: 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/00
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 范晓毅
地址: 100076 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及MEMS结构与处理电路集成系统的新型封装方法,该方法包括:(1)MEMS圆片上每个基底单元预留多个电路芯片放置区域,将电路芯片放置在MEMS圆片上,形成MEMS结构与处理电路的集成;(2)利用垂直互联技术,采用硅作为盖板,盖板上带有垂直通孔,通孔内部填充导电材料,形成结构的输入和输出端口;(3)盖板键合面有多个槽,用于提供MEMS器件工作所需的真空气密环境和电路所需的空间,盖板槽内部的吸气剂薄膜,用于维持真空度;(4)将盖板与MEMS圆片进行圆片键合,实现圆片级真空集成封装,该方法不仅工艺简单,适用范围广,效果显著,而且能够避免由于热膨胀系数带来的热应力,显著提高器件的温度系数。
搜索关键词: mems 结构 处理 电路 集成 系统 新型 封装 方法
【主权项】:
MEMS结构与处理电路集成系统的新型封装方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤(一)、MEMS圆片基底(201)包括N个基底单元,在每个基底单元上加工出MEMS结构(202)、第一焊盘(203)、第二焊盘(203’)和键合区(204),同时形成一个或多个电路预留区(205),MEMS圆片基底(201)上共形成M个电路预留区(205);步骤(二)、在MEMS圆片的电路预留区(205)的第二焊盘(203’)上植球(206),并将M个电路芯片(301)分别倒装在MEMS圆片的M个电路预留区(205);步骤(三)、制作硅盖板(101),在硅盖板(101)上形成封装MEMS结构(202)的N个第一浅槽(105)、封装电路芯片(301)的M个第二浅槽(106)和金属键合区(107);步骤(四)、将MEMS圆片基底(201)与硅盖板(101)进行圆片键合;步骤(五)、在键合后的硅盖板(101)上形成金属连线(402),得到封装后的圆片(401);步骤(六)、将圆片(401)切割成N个与MEMS圆片基底(201)上的N个基底单元相对应的芯片单元(404),每个芯片单元(404)包括一个MEMS结构(202)、一个或多个电路芯片(301);其中N、M均为正整数,且M≥N。
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