[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含衬底、至少一电容器、第一保护层、再分布层以及第二保护层。所述电容器位于所述衬底上，且接触所述衬底的导电通孔。所述第一保护层覆盖所述电容器。所述再分布层位于所述第一保护层上，且电连接到所述电容器。所述第二保护层覆盖所述再分布层和所述第一保护层。借此，可有效提高电特性及增加线路布局区域。 1

主权项

1.一种半导体装置，其包含：

衬底，其具有第一表面、第二表面、至少一第一导电通孔及至少一第二导电通孔，所述至少一第一导电通孔贯穿所述衬底且显露于所述第一表面及所述第二表面，所述至少一第二导电通孔贯穿所述衬底且显露于所述第一表面和所述第二表面，且所述衬底为玻璃衬底；

至少一电容器，其位于所述衬底的第一表面，所述电容器包含第一电极、中间绝缘层及第二电极，其中所述第一电极的面积大于所述中间绝缘层或所述第二电极的面积，且所述第一电极接触所述至少一第一导电通孔；

第一保护层，其覆盖所述至少一电容器及所述衬底的所述第一表面，其中所述第一保护层具有第一开口、第二开口和第三开口，所述第一开口显露所述第一电极，所述第二开口显露所述第二电极，且所述第三开口显露所述第二导电通孔；

第一互连金属，其位于所述第一保护层的所述第一开口；

第二互连金属，其位于所述第一保护层的所述第二开口；

再分布层，其邻接于所述第一保护层，且电连接所述第二互连金属；

第二保护层，其覆盖所述再分布层和所述第一保护层；以及

第三互连金属，所述第三互连金属位于所述第三开口，且所述再分布层位于所述第三互连金属上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底进一步具有至少一孔洞和导电金属，所述导电金属填满所述至少一孔洞以形成所述至少一第一导电通孔。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底进一步具有至少一孔洞、导电金属和中心绝缘材料，所述导电金属位于所述至少一孔洞的侧壁，以界定出至少一中心槽，所述绝缘材料位于所述至少一中心槽，以形成所述至少一第一导电通孔。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包含电感器，其邻接于所述第一保护层，且电连接所述第一互连金属；所述第二保护层进一步覆盖所述电感器。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其进一步包含连接垫，电连接到所述电感器，所述连接垫位于所述第一互连金属上，且所述再分布层位于所述第二互连金属上。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包含多个第一金属层，其中所述第二保护层具有多个开口，以显露所述再分布层，所述第一金属层位于所述第二保护层的所述开口。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其进一步包含至少一上半导体装置，附着到所述第二保护层，且电连接到所述第一金属层。

8.一种半导体装置，其包含：

衬底，其具有第一表面、第二表面、至少一第一导电通孔及至少一第二导电通孔，所述至少一第一导电通孔贯穿所述衬底且显露于所述第一表面及所述第二表面，所述至少一第二导电通孔贯穿所述衬底且显露于所述第一表面和所述第二表面，其中所述衬底为玻璃衬底；

至少一第一金属垫，其位于所述衬底的第一表面，且接触所述至少一第二导电通孔；

至少一电容器，其位于所述衬底的第一表面，所述电容器包含第一电极、中间绝缘层及第二电极，其中所述第一电极的面积大于所述中间绝缘层或所述第二电极的面积，且所述第一电极接触所述至少一第一导电通孔；

第一保护层，其覆盖所述至少一电容器及所述衬底的所述第一表面，其中所述第一保护层具有第一开口、第二开口和第三开口，所述第一开口显露所述第一电极，所述第二开口显露所述第二电极，且所述第三开口显露所述第一金属垫；

第一互连金属，其位于所述第一保护层的所述第一开口；

第二互连金属，其位于所述第一保护层的所述第二开口；

再分布层，其邻接于所述第一保护层，且电连接所述第二互连金属；

第三互连金属，其位于所述第一保护层的所述第三开口，且所述再分布层位于所述第三互连金属上；以及

第二保护层，其覆盖所述再分布层和所述第一保护层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述衬底进一步具有至少一孔洞和导电金属，所述导电金属填满所述至少一孔洞以形成所述至少一第一导电通孔。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述衬底进一步具有至少一孔洞、导电金属和中心绝缘材料，所述导电金属位于所述至少一孔洞的侧壁，以界定出至少一中心槽，所述绝缘材料位于所述至少一中心槽，以形成所述至少一第一导电通孔。