[发明专利]具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410008455.8 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103715257B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 董志华;蔡勇;于国浩;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法。该器件可通过习见半导体器件加工工艺制成，其包括源极、漏极、异质结构和背场板电极，该源、漏极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，且源、漏极与异质结构形成欧姆接触，该异质结构包括沿设定方向依次设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层设置于源、漏极之间，且第一半导体层表面还设有栅极，该栅极与第一半导体层之间形成肖特基接触，背场板电极设置于第二半导体层的远离第一半导体层的一侧表面。本发明能有效提高器件的击穿电压，并最大程度地抑制“电流崩塌”效应。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 背面 板结 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有背面场板结构的HEMT器件，包括源极（5）、漏极（4）以及异质结构，所述源极（5）与漏极（4）通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，且所述源极（5）和漏极（4）与异质结构形成欧姆接触，所述异质结构包括沿设定方向依次设置的第一半导体层（3）和第二半导体层(2)，第一半导体层（3）设置于源极（5）和漏极（4）之间，且第一半导体层（3）表面还设有栅极（6），所述栅极（6）与第一半导体层（3）形成肖特基接触，其特征在于，它还包括背场板电极(9) 和绝缘介质层，所述绝缘介质层直接形成于所述第二半导体层(2)的远离第一半导体层（3）的一侧表面，所述背场板电极(9)直接形成于绝缘介质层表面，所述第二半导体层(2)是经减薄处理过的，且所述第二半导体层(2)的远离第一半导体层（3）的一侧表面为平整面。
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