[发明专利]MEMS器件制造方法有效
| 申请号： | 201380071919.3 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN104955765B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 林声圭;金暎洙;金熙渊;姜敏浩;吴在燮;李贵鲁 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术院 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种将非晶碳薄膜利用为牺牲层的MEMS器件制造方法。根据本发明的一实施例，包括如下步骤形成下部结构物；作为牺牲层，在所述下部结构物上形成非晶碳薄膜；在所述非晶碳薄膜上形成包括传感器结构的上部结构物；消除所述非晶碳薄膜而使所述下部结构物与所述上部结构物相互隔离地布置。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件制造方法，其特征在于，包括，如下步骤：形成下部结构物的步骤；平展所述下部结构物的步骤；作为牺牲层，在所述下部结构物上形成非晶碳薄膜的步骤；在所述非晶碳薄膜上形成绝缘支持层的步骤；在所述绝缘支持层上形成蚀刻保护膜，一次蚀刻所述绝缘支持层及所述非晶碳薄膜，贯通所述绝缘支持层及所述非晶碳薄膜而形成露出所述下部结构物的多个导通孔的步骤；在所述绝缘支持层上形成包括传感器结构的上部结构物的步骤；形成贯通所述绝缘支持层的至少一个贯通孔的步骤；及通过所述至少一个贯通孔消除全部所述非晶碳薄膜，使所述下部结构物与所述上部结构物相互隔离地布置的步骤；通过所述多个导通孔电气性连接所述下部结构物与所述上部结构物的步骤。
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