[发明专利]半导体器件上的混合变压器结构有效
| 申请号： | 201380060695.6 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104813495B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | C·S·洛;J-H·兰;M·F·维纶茨;J·金 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01F19/04;H01L23/522;H01L23/64;H01F19/08;H01F27/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 唐杰敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 若干新颖特征涉及一种在具有多个层的半导体管芯内形成的混合变压器。该混合变压器包括置于该管芯的第一层上的第一组绕组(702)。第一层置于该管芯的基板上方。第一组绕组包括第一端口(706)和第二端口(708)。第一组绕组被安排成作为第一电感器来操作。该混合变压器包括置于该管芯的第二层上的第二组绕组(704)。第二层置于该基板上方。第二组绕组包括第三端口(710)、第四端口(712)和第五端口(714)。第二组绕组被安排成作为第二电感器和第三电感器来操作。第一组绕组和第二组绕组被安排成作为垂直耦合混合变压器来操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 混合 变压器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种在具有多个层的半导体管芯内形成的混合变压器，所述混合变压器包括：置于所述半导体管芯的至少第一层上的第一组绕组，所述第一层置于所述半导体管芯的基板之上，所述第一组绕组包括第一端口和第二端口，所述第一组绕组被安排成作为第一电感器来操作；以及置于所述半导体管芯的至少第二层上的第二组绕组，所述第二层置于所述基板之上，所述第二组绕组包括第三端口、第四端口和第五端口，所述第二组绕组被安排成作为第二电感器和第三电感器来操作，其中所述半导体管芯包括第三层和第四层，所述第一组绕组被置于所述第一层和所述第三层上，所述第二组绕组被置于所述第二层和所述第四层上，并且其中所述第一组绕组和所述第二组绕组被安排成作为垂直耦合混合变压器来操作。
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