[发明专利]等离子体源有效
申请号: | 201380055316.4 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN104718598B | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 维克托·贝利多-刚扎雷兹 | 申请(专利权)人: | 基恩科有限公司 |
主分类号: | H01J37/34 | 分类号: | H01J37/34;C23C14/35 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 黎艳,何冲 |
地址: | 英国默西塞*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及磁增强阴极等离子体沉积和阴极等离子体放电,其中,所述带电粒子可以在稀薄的真空系统中被引导。具体的,描述了阴极等离子体源簇或组合,其中,至少两个等离子体源单元以这样一种方式排布在稀薄的真空系统中产生的磁场相互作用提供本质上与中性粒子和液滴的主体垂直的方向上的电子的引导传送逸出路径,该中性粒子和液滴生成在所述阴极等离子体源中。此外,本发明的所述阴极等离子体源排布将生成非常低磁场的区域,其中,通过电场和磁场捕获电子。由所述等离子体簇生成的离子将通过所述电场或磁场确定的逸出路径跟随电子。所述离子的方向与那些中性粒子从根本上是不同的,用这种方式提供带电粒子滤波方法。本发明可以实现在不同实施例和等离子体簇的不同排布中,通过使得所述等离子体将穿过用于所需等离子体处理和/或合适基板涂层的区域的磁相互作用方式而相互作用。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 | ||
【主权项】:
一种等离子体源,包括:间隔分开的第一和第二等离子体源单元,各等离子体源单元均包括靶和磁性装置;其中,所述各磁性装置均创建了在它们各自的靶上形成闭环磁阱的磁场;并且,所述磁场相互作用以形成:在位于所述等离子体源之间的区域中的大致很低磁场强度的范围;以及从位于所述等离子体源单元之间的所述区域延伸开来的导引磁场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于基恩科有限公司,未经基恩科有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380055316.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 反应腔室及半导体加工设备-201821792352.5
- 侯珏 - 北京北方华创微电子装备有限公司
- 2018-10-31 - 2019-07-05 - H01J37/34
- 本实用新型提供了一种反应腔室,包括:基座,用于承载待加工工件;靶材,设置在所述反应腔的上部空间中;以及准直器,设置在所述靶材以下、所述待加工工件以上的空间中,以提高所述待加工工件深孔底部的覆盖率以及深孔侧壁覆盖率的对称性。本实用新型还提供了一种半导体加工设备。
- 用于高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)的功率输送-201780064294.6
- 维加斯拉夫·巴巴扬;阿道夫·米勒·艾伦;迈克尔·斯托威尔;华忠强;卡尔·R·约翰逊;凡妮莎·法恩;刘菁菁 - 应用材料公司
- 2017-09-12 - 2019-06-07 - H01J37/34
- 一种用于产生和输送用于处理腔室的脉冲高电压信号的系统,包括:远程设置的高电压源、脉冲发生器、第一屏蔽缆线和第二屏蔽缆线,所述远程设置的高电压源产生高电压信号,所述脉冲发生器比所述高电压源相对更靠近所述处理腔室而设置,所述第一屏蔽缆线将高电压信号从远程设置的高电压源输送至脉冲发生器来加以脉冲,所述第二屏蔽缆线将脉冲高电压信号从脉冲发生器输送至处理腔室。一种用于产生和输送脉冲高电压信号到处理腔室的方法,包括以下步骤:在远离处理腔室的位置处产生高电压信号,将高电压信号输送到相对更靠近处理腔室的位置来加以脉冲,对所输送的高电压信号加以脉冲,和将脉冲高电压信号输送到处理腔室。
- 用于溅射沉积源和磁控溅射沉积源的磁体布置-201680090026.7
- 安德烈亚斯·勒普;马库斯·哈尼卡;朴炫灿;安德烈亚斯·克洛佩尔 - 应用材料公司
- 2016-10-11 - 2019-06-04 - H01J37/34
- 根据本公开内容的一个方面,提供了一种用于溅射沉积源的磁体布置(100)。所述磁体布置包括第一磁体(110)和第二磁体(120),所述第一磁体(110)和第二磁体(120)适于将等离子体限制在等离子体限制区域(150)中;和包含可磁化材料的至少一个场影响元件(115),所述至少一个场影响元件(115)适于实现所述等离子体限制区域朝向所述至少一个场影响元件的局部位移。根据第二方面,提供了一种具有磁体布置的磁控溅射沉积源(400)和一种使用包括磁体布置的磁控溅射沉积源在基板上沉积膜的方法。
- 用于电弧减少的溅射的设备和方法-201780059713.7
- 欧阳煦;潘业光 - 康宁股份有限公司
- 2017-09-20 - 2019-05-21 - H01J37/34
- 一种设计用于将材料溅射到多个基材上的设备包括旋转的金属框架、多个载体以及设置在金属框架与多个载体之间的绝缘体。所述多个载体被设计用于保持一个或多个固定装置,该固定装置固定多个基材,并且多个载体中的每个载体被设计成连接到金属框架。在多个载体连接到金属框架的位置处,将绝缘体设置在金属框架与多个载体之间,使得多个载体与金属框架电隔离。
- 一种捕捉多余电子的装置-201821047214.4
- 高富堂 - 定西中庆玄和玻璃科技有限公司
- 2018-07-03 - 2019-04-12 - H01J37/34
- 本实用新型公开了一种捕捉多余电子的装置,包括固定板、固定装置、针式导电棒、导出管、抑制整流器和连接头,所述固定板镶嵌于电子与气体分子碰撞腔体的外侧面,数根针式导电棒的一端穿过固定板并置入电子与气体分子碰撞腔体内,针式导电棒的另一端与抑制整流器相连;抑制整流器通过固定装置与固定板相连,导出管通过连接头与抑制整流器相连。使用时将本实用新型所述的捕捉多余电子的装置镶嵌于电子与气体分子碰撞腔体设备的外部,通过整流器分导出腔体,有效抑制了腔体内多余电子乱放电的现象,并且还起到稳定腔体内电压、电流的平衡作用,使腔体内的工艺环境抑制保持稳定,从而大幅提高产品合格率。
- 用于溅射源的脉冲形状控制器-201780046500.0
- 迈克尔·W·斯托威尔;维加斯拉夫·巴巴扬;刘晶晶;华忠强 - 应用材料公司
- 2017-07-18 - 2019-03-19 - H01J37/34
- 此处所呈现的实施方式涉及用于基板处理系统的脉冲控制系统。脉冲控制系统包括功率源、系统控制器和脉冲形状控制器。脉冲形状控制器耦接至功率源且与系统控制器连通。脉冲形状控制器包括第一切换组件和第二切换组件。第一切换组件包括具有第一端和第二端的第一切换器。第一切换器可配置于断开状态与导通状态之间。第二切换组件包括具有第一端和第二端的第二切换器。第一切换器在导通状态中且第二切换器在断开状态中。在导通状态中的第一切换器配置成允许将由功率源所供应的脉冲传送通过脉冲形状控制器。
- 用于旋转式目标的末端块以及小于大气压的压力下的收集器和转子之间的电连接-201480077077.7
- 吉尔贝特·加兰;让-菲利普·乌泽尔丁;盖伊·科曼斯;马塞尔·施洛雷贝格 - 佳殿欧洲责任有限公司
- 2014-12-30 - 2019-02-26 - H01J37/34
- 提供一种用于旋转式溅射目标(1)的末端块(4),例如,旋转式磁控溅射目标。溅射装置包括一个或多个末端块,电触头(例如导电刷)(18)则定位在真空区域(8)(相对于大气压下的区域(9))的末端块中的收集器(20)和转子(22)之间。
- 反应腔室及半导体加工设备-201811292310.X
- 侯珏 - 北京北方华创微电子装备有限公司
- 2018-10-31 - 2019-02-01 - H01J37/34
- 本公开提供了一种反应腔室,包括:基座,用于承载待加工工件;靶材,设置在所述反应腔的上部空间中;以及准直器,设置在所述靶材以下、所述待加工工件以上的空间中,以提高所述待加工工件深孔底部的覆盖率以及深孔侧壁覆盖率的对称性。本公开还提供了一种半导体加工设备。
- 脉冲直流电源供应器-201780012398.2
- 尤韦·赫尔曼斯 - 应用材料公司
- 2017-05-10 - 2019-01-18 - H01J37/34
- 提供一种脉冲直流电源供应器。脉冲直流电源供应器被配置为提供单极脉冲直流电源。脉冲直流电源供应器包括脉冲单元,脉冲单元用于交替地在脉冲直流电源供应器的单极脉冲周期的开启周期期间设定标称开启周期直流电压以及在关闭周期期间设定标称关闭周期电压。脉冲直流电源供应器包括电流测量单元和零线确定单元。电流测量单元被配置为在关闭周期期间测量关闭周期电流。零线确定单元被配置为确定所测量的关闭周期电流的零线条件的存在。脉冲单元被配置为在确定存在所测量的关闭周期电流的零线条件时,设定标称开启周期直流电压。
- PVD阵列涂覆器中的边缘均匀性改善-201480077982.2
- E·希尔;M·本德;F·皮耶拉利西;D·泽韦林;R·林德伯格;H·嘉特纳 - 应用材料公司
- 2014-04-17 - 2019-01-18 - H01J37/34
- 描述了一种用于材料在基板上的沉积的设备。所述设备包括沉积阵列(222),所述沉积阵列具有三个或更多个阴极(122),其中所述沉积阵列包括:第一外侧沉积组件(301),所述第一外侧沉积组件至少包括所述三个或更多个阴极中的第一阴极;第二外侧沉积组件(302),所述第二外侧沉积组件与所述第一外侧沉积组件相对,所述第二外侧沉积组件(302)至少包括所述三个或更多个阴极中的第二阴极;内侧沉积组件(303),所述内侧沉积组件包括位于所述第一外侧沉积组件与所述第二外侧沉积组件之间的至少一个内侧阴极。所述第一外侧沉积组件(301)和所述第二外侧沉积组件(302)中的至少一者被配置成用于在相同时间中、在相同基板上、以比所述内侧沉积组件(303)高的速率来沉积材料。
- 用于溅射沉积的沉积源和真空沉积设备-201590001572.X
- 弗兰克·施纳朋伯杰;托马斯·德皮施 - 应用材料公司
- 2015-07-24 - 2019-01-18 - H01J37/34
- 说明了一种用于溅射沉积的沉积源和一种真空沉积设备。沉积源包括:阴极(130,230),用于提供待沉积的靶材料;至少一个阳极组件(110,210),至少具有第一阳极区段(111,211)和第二阳极区段(112,212),第一阳极区段面对阴极的第一部分,第二阳极区段面对阴极的第二部分;和连接器组件(120)。连接器组件包括:第一电连接件(121),用于将第一阳极区段(111,211)连接到第一参考电位(P1);第二电连接件(122),用于将第二阳极区段(112,212)连接到第二参考电位(P2);和调整装置(150),用于调整第一电连接件(121)的第一电阻和第二电连接件(122)的第二电阻中的至少一个。可改善所溅射的层的层均匀性。
- 用于均匀溅镀的溅镀系统-201580020425.1
- 伊万·万·德·普特;耐克·德维尔德;盖伊·戈宾;威尔姆·德·伯斯彻 - 索雷拉斯高级涂料公司
- 2015-04-14 - 2018-12-21 - H01J37/34
- 本发明描述了一种用于在衬底(111)上涂覆涂层的溅镀系统(100)。所述溅镀系统包括用于单个涂层的联合溅镀的至少两个圆柱形溅镀单元(125)。每个溅镀单元(125)包括细长磁铁配置并且至少一个细长磁铁配置包括沿着所述细长磁铁配置的长度方向的多个磁铁结构(140)和磁铁结构控制系统(150)。在溅镀靶材(121)安装在溅镀单元上时,至少一个磁铁结构(140)的位置和/或形状可由磁铁结构控制系统(150)调整。
- 用于等离子体处理装置的阴极-201780011736.0
- 李赞龙;李相龙 - 伊诺恒斯股份有限公司
- 2017-02-17 - 2018-10-23 - H01J37/34
- 本发明涉及一种用于产生等离子体以便对待处理的材料执行预定处理的阴极,并且更具体地,涉及一种能够在阴极周围的360°范围内的所有方向上产生等离子体的阴极。本发明包括:电极管,该电极管由导电材料制成并且内部是中空的;以及多个磁体,该多个磁体设置在电极管内部,并且对齐成使得多个磁体的相同的磁极彼此面对。
- 管状靶件-201380048331.6
- 沃尔特·穆施勒希纳;安德烈·德龙豪弗;克里斯汀·林克 - 普兰西欧洲股份公司
- 2013-09-13 - 2018-10-23 - H01J37/34
- 本发明是关于一种用于阴极雾化系统的靶件(2a),其具有由雾化材料制成的管状靶体(4a);及可紧固至该靶体(4a)的两个连接件(10a),其用于将该靶体(4a)连接至阴极雾化系统,其中第一连接件可连接至该靶体(4a)的第一末端,且第二连接件可连接至该靶体(4a)的第二末端,且其中至少一个锁定机构(12a‑d)是形成于各连接件(10a)上,以便将各别连接件(10a)以抵制旋转的固定方式连接至该靶体(4a)。
- 用于可旋转阴极的遮蔽装置、可旋转阴极以及用于遮蔽沉积设备中的暗空间的方法-201480078747.7
- H·吴尔斯特 - 应用材料公司
- 2014-05-09 - 2018-07-13 - H01J37/34
- 根据本公开,提供一种用于可旋转阴极的遮蔽装置(20)以及一种用于遮蔽沉积设备中的暗空间区域的方法,所述可旋转阴极具有用于将材料沉积到基板上的可旋转靶材(10)。所述遮蔽装置(20)包括:遮蔽件(21),配置成用于覆盖可旋转靶材(10)的部分;以及固定件(80),用于将所述遮蔽件(21)连接至所述可旋转靶材(10)。固定件(80)配置成用于与所述遮蔽件(21)啮合,以允许所述遮蔽件在可旋转靶材的轴向上基本上远离可旋转靶材(10)的中心膨胀。
- 一种灯丝结构、工件清洗设备及真空镀膜设备-201721645790.4
- 毕凯 - 嘉兴岱源真空科技有限公司
- 2017-11-30 - 2018-05-29 - H01J37/34
- 一种灯丝结构,包括灯丝、上连接轴、下连接轴、上轴承、下轴承及第一连接头,所述上连接轴穿过上轴承,所述下连接轴与下轴承连接,所述灯丝连接于上连接轴与下连接轴之间,所述第一连接头与下连接轴电性连接,所述下连接轴与灯丝电性连接。如此取消了线缆的电位连接方式及壳体开孔,因此无需开孔、完全封闭,氩气、离子和电子不会泄露,避免了氩气浪费、环境污染及安全事故。本实用新型还提供了一种工件清洗设备及一种真空镀膜设备。
- 热敏粘结的金属靶的冷却和利用优化-201580081633.2
- 赫尔穆特·格林;托马斯·沃纳·兹巴于尔 - 应用材料公司
- 2015-07-24 - 2018-03-27 - H01J37/34
- 描述了一种溅射源(100)。所述溅射源包括背衬支撑件(102),所述背衬支撑件具有靶接收表面(112)和与所述靶接收表面相对的另一表面(110);和至少一个磁体组件(115),所述磁体组件邻近所述另一表面设置,其中所述背衬支撑件的所述靶接收表面具有至少一个凹槽(120),其中所述凹槽与所述磁体组件相对地设置。
- 用于沉积设备的电极组件以及用于组装电极组件的方法-201380081699.2
- A·赫尔米希;F·施纳朋伯格;A·洛珀;T·格贝勒 - 应用材料公司
- 2013-12-17 - 2018-03-23 - H01J37/34
- 提供一种用于溅射沉积设备的电极组件(120;200;300;400;700;800;900)。这种电极组件包括组件元件(210;310;410;710;810;910),用于提供将沉积的材料和固持可旋转靶材中的至少一者;磁铁系统(230;330;430;730;830;930),设置在组件元件(210;310;410;710;810;910)内;以及磁极片(240;241;242;340;341;342;440;441;442;740;741;742;840;841;842;940;941;942),设置在磁铁系统与组件元件之间。进一步,描述一种用于组装具有磁铁系统(230;330;430;730;830;930)的电极组件的方法。
- 阴极射线磁追踪反应速度训练装置-201610631420.9
- 曾妙玲 - 曾妙玲
- 2015-06-30 - 2017-11-28 - H01J37/34
- 本发明公开了一种阴极射线磁追踪反应速度训练装置,阴极射线管通过支架固定在平台上,阴极射线呈水平状态;上永磁体位于阴极射线管上方,阴极射线管上方设有上滑动副,上滑动副的静止部通过支架连接在平台上,上永磁体与上滑动副的滑动部连接为一体,上滑动副的滑动部的滑动方向为竖直方向,上滑动副的滑动部铰接有连杆,连杆铰接连接有曲柄,曲柄连接有驱动机构;下永磁体位于阴极射线管下方,阴极射线管下方设有下滑动副,下滑动副的静止部通过支架连接在平台上,下永磁体与下滑动副的滑动部连接为一体,下滑动副的滑动部的滑动方向为竖直方向,下滑动副的滑动部连接有手柄;上永磁体和下永磁体同极相对,且垂直方向对齐。
- 用于溅射沉积的微型可旋转式溅射装置-201280071216.6
- T·德皮施;F·施纳朋伯格;A·洛珀;A·弗洛克;G·格里施 - 应用材料公司
- 2012-03-12 - 2017-11-28 - H01J37/34
- 本发明描述用于在腹板上沉积沉积材料的沉积设备及方法。沉积设备包括界定第一可旋转式溅射装置的第一轴的第一溅射装置支撑件、界定第二可旋转式溅射装置的第二轴的第二溅射装置支撑件及涂覆窗。第一溅射装置支撑件及第二溅射装置支撑件经调适成支撑第一可旋转式溅射装置及第二可旋转式溅射装置以在涂覆鼓上提供待沉积于腹板上的沉积材料的至少一组分。此外,第一轴与第二轴之间的距离小于200mm。
- 阴极射线磁追踪反应速度训练装置-201610631419.6
- 樊陈 - 海门华夏时丽网络科技服务有限公司
- 2015-06-30 - 2017-09-29 - H01J37/34
- 本发明公开了一种阴极射线磁追踪反应速度训练装置,阴极射线管通过支架固定在平台上,阴极射线呈水平状态;上永磁体位于阴极射线管上方,阴极射线管上方设有上滑动副,上滑动副的静止部通过支架连接在平台上,上永磁体与上滑动副的滑动部连接为一体,上滑动副的滑动部的滑动方向为竖直方向,上滑动副的滑动部铰接有连杆,连杆铰接连接有曲柄,曲柄连接有驱动机构;下永磁体位于阴极射线管下方,阴极射线管下方设有下滑动副,下滑动副的静止部通过支架连接在平台上,下永磁体与下滑动副的滑动部连接为一体,下滑动副的滑动部的滑动方向为竖直方向,下滑动副的滑动部连接有手柄;上永磁体和下永磁体同极相对,且垂直方向对齐。
- 等离子体源-201380055316.4
- 维克托·贝利多-刚扎雷兹 - 基恩科有限公司
- 2013-09-11 - 2017-09-22 - H01J37/34
- 本发明涉及磁增强阴极等离子体沉积和阴极等离子体放电,其中,所述带电粒子可以在稀薄的真空系统中被引导。具体的,描述了阴极等离子体源簇或组合,其中,至少两个等离子体源单元以这样一种方式排布在稀薄的真空系统中产生的磁场相互作用提供本质上与中性粒子和液滴的主体垂直的方向上的电子的引导传送逸出路径,该中性粒子和液滴生成在所述阴极等离子体源中。此外,本发明的所述阴极等离子体源排布将生成非常低磁场的区域,其中,通过电场和磁场捕获电子。由所述等离子体簇生成的离子将通过所述电场或磁场确定的逸出路径跟随电子。所述离子的方向与那些中性粒子从根本上是不同的,用这种方式提供带电粒子滤波方法。本发明可以实现在不同实施例和等离子体簇的不同排布中,通过使得所述等离子体将穿过用于所需等离子体处理和/或合适基板涂层的区域的磁相互作用方式而相互作用。
- 晶圆处理沉积屏蔽部件-201710120243.2
- 马丁·L·瑞勒;毛瑞斯·E·艾华特;阿纳恩萨·K·苏布尔曼尼 - 应用材料公司
- 2010-04-06 - 2017-08-11 - H01J37/34
- 本发明所述的实施例大体关于一种用于将材料均匀溅射沉积至基材上具有高深宽比的特征结构的底部及侧壁的设备及方法。在一个实施例中,提供一种定位在溅射靶材与基材支撑座间而用于与屏蔽构件机械及电气连接的准直器。该准直器包含中央区域及周边区域,其中该准直器具有多个延伸贯穿所述准直器的孔口,且其中位于中央区域的孔口具有较位于周边区域的孔口高的深宽比。
- 板在室温和较高温度下在支座中的定中-201480031545.7
- 耶格·科什保尔 - 欧瑞康表面处理解决方案股份公司特鲁巴赫
- 2014-04-07 - 2017-08-01 - H01J37/34
- 本发明涉及一种包括带有支座的板的系统,其中,该板在该支座内在室温和较高温度下都与所述板和支座的热胀无关地被定中,并且该板可以在较高温度下在该支座内自由膨胀。
- 用以涂布溅镀材料层于基板上的装置及沉积系统-201280075041.6
- A·克勒佩尔;M·哈尼卡;E·谢尔;K·施沃恩特兹;F·皮耶拉利西;J·刘 - 应用材料公司
- 2012-07-02 - 2017-07-28 - H01J37/34
- 本发明描述了一种用以涂布溅镀材料层于基板(12)上的装置(10;166;224)。所述装置(10;166;224)包括至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106),其中每个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)具有外磁极性及内磁极性。所述至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)中的一者的外磁极性不同于所述至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)中的另一者的相邻的外磁极性。并且,本发明描述了一种沉积系统(14),所述沉积系统包括所述装置(10;166;224)。
- 用于涂覆衬底的方法和涂覆器-201510157919.6
- 马库斯·班德尔;马卡斯·哈尼卡;伊夫林·希尔;法毕奥·皮拉里斯;盖德·曼克 - 应用材料公司
- 2010-09-30 - 2017-07-25 - H01J37/34
- 提供一种用具有可旋转靶(20)的阴极组件(10)涂覆衬底(100)的方法。可旋转靶具有至少一个位于其内的磁体组件(25)。该方法包括将磁体组件定位在第一位置,使得其相对于平面(22)不对称地排列达预定第一时间间隔,所述平面从衬底(100)垂直延伸到可旋转靶的轴线(21);将磁体组件定位在第二位置处达预定第二时间间隔,第二位置相对于所述平面(22)不对称地排列;并且在涂覆过程中向可旋转靶提供随时间而变化的电压。此外,提供一种涂覆器,其包括具有可旋转弯曲靶的阴极组件;以及两个定位在可旋转弯曲靶内的磁体组件,其中,两个磁体组件之间的距离能变化。
- 在线可调式磁棒-201380009051.4
- W·德博斯谢尔;I·范德皮特;G·国彬 - 梭莱先进镀膜工业有限公司
- 2013-02-13 - 2017-04-26 - H01J37/34
- 本发明提供了一种用于可旋转地承载溅射靶管(200)且用于约束所述溅射靶管内的磁棒的终端模块(100)。终端模块(100)包括用于接收磁棒接头(150)的插孔,其中所述插孔包括信号连接器的第一部分(162),所述信号连接器的第一部分设置用于从所述磁棒接头(150)接收信号连接器的第二部分(164)并允许在终端模块(100)和磁棒(220)之间形成信号连接器。终端模块适用于为信号连接器提供保护装置,以用于保护信号连接器避免由于周围的冷却流体和/或由于周围的高能量场而退化、损坏或者受到在终端模块和磁棒之间传输的功率信号和/或数据信号的干扰。本发明还提供了一种对应的磁棒,以及一种用于调节柱状溅射装置中的磁棒的磁性构造的方法。
- 功率兼容性更高的溅射靶-201480026375.3
- 西格弗里德·克拉斯尼策尔;约格·哈克曼;耶格·科什保尔 - 欧瑞康表面处理解决方案股份公司特鲁巴赫
- 2014-04-07 - 2017-04-19 - H01J37/34
- 本发明涉及板定中系统,包括带有支座的板,其中该板在支座中在室温和较高温度下都与所述板和支座的热胀无关地被定中,并且该板能在支座中在较高温度下自由膨胀。本发明尤其涉及具有框形靶架的靶,其非常适合用作在用于高功率脉冲磁控溅射的涂覆源中。
- HIPIMS层-201280054937.6
- S.克拉斯尼策尔;M.莱希塔勒 - 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫)
- 2012-10-26 - 2017-02-15 - H01J37/34
- 本发明涉及在至少一个基材上通过喷雾由气相沉积PVD层体系的方法,其中该层体系包括至少一个第一层,其特征在于,至少在该方法的一个步骤中使用功率密度为至少250W/cm2的HIPIMS方法,其中使用至少5ms时间的脉冲长度,在此期间在基材上存在基材偏压。
- 端块组件、轴承组件以及加工组件-201620459587.7
- 塞巴斯蒂安·西格特;格里特·施图德;格尔德·阿诺德 - 冯·阿登纳有限公司
- 2016-05-19 - 2017-02-08 - H01J37/34
- 本实用新型涉及一种端块组件、一种轴承组件和一种加工组件。在各个实施例中,提供了一种用于将管形电极可旋转地安装到加工室中的端块组件。端块组件包括接纳区,用于接纳轴承组件,所述轴承组件具有用于将管形电极联接至所述轴承组件的联接区;轴承组件的所述联接区由所述轴承组件的衬套支撑。衬套插入配合到接纳区中。衬套由多个区段接合在一起,该多个区段的外表面形成轴承组件的表层表面且该多个区段中的至少两个区段利用不同的材料形成。所述两个区段的外表面相互对齐以便它们彼此齐平。
- 专利分类