[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

摘要

本公开涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括多个半导体层，该多个半导体层在其第一半导体层所位于的一面设置有生长基板去除面；支撑基板，该支撑基板设置有第一电力路径和第二电力路径，第一电力路径和第二电力路径从第二面连接到第一面；结合层，该结合层将该支撑基板的第一面侧与多个半导体层的第二半导体层侧结合，并且与第一电力路径电链接；结合层去除面，该结合层去除面形成在第一面上，露出第二电力路径，并且朝向多个半导体层开口；以及电链接件，该电链接件用于将多个半导体层与露出在结合层去除面上的第二电力路径连接，使得电子或空穴中的一方被转移到多个半导体层。

主权项

一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括以下步骤：制备多个半导体层，该多个半导体层顺序生长在生长基板上，所述多个半导体层包括：第一半导体层，该第一半导体层具有第一导电性和形成在其一侧上的生长基板去除面；第二半导体层，该第二半导体层具有与所述第一导电性不同的第二导电性；以及有源层，该有源层插入在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，经由电子空穴复合产生光；制备支撑基板，该支撑基板具有第一面和与所述第一面相反的第二面，其中，第一电传递通道和第二电传递通道通过对所述支撑基板进行穿孔并且将导电材料插入到所述第一电传递通道和所述第二电传递通道的每一个中来设置，经由该第一电传递通道电子或空穴被转移到所述多个半导体层，未经由所述第一电传递通道转移的任何电子或空穴经由该第二电传递通道被转移到所述多个半导体层；将所述生长基板的相反侧上的所述多个半导体层与所述支撑基板的第一面侧结合，使得结合层形成在结合区域上，并且所述第一电传递通道经由所述结合层连接到所述多个半导体层；去除所述基板；去除所述结合层，以使所述第二电传递通道露出；以及通过电连接件将所述第二电传递通道与所述多个半导体层电连接，使得未经由所述第一电传递通道转移的任何电子或空穴转移到所述多个半导体层，其中，所述多个半导体层具有电连接到所述第一半导体层和第二半导体层中的一方的导电层，并且所述方法还包括以下步骤：在电连接步骤之前，去除所述多个半导体层以使所述导电层露出，并且其中，所述电连接件经由所述导电层与所述多个半导体层电连接。