[发明专利]提供绝缘体上硅衬底上的波导的光学隔离的方法及结构有效
申请号: | 201380035848.1 | 申请日: | 2013-05-30 |
公开(公告)号: | CN104412375B | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | 罗伊·米迪 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;G02B6/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示一种提供绝缘体上硅衬底的方法及结构,光子装置形成于所述绝缘体上硅衬底上,且在所述绝缘体上硅衬底中,波导的芯材料通过浅沟槽隔离区域与支撑衬底光学解耦。 | ||
搜索关键词: | 提供 绝缘体 衬底 波导 光学 隔离 方法 结构 | ||
【主权项】:
一种形成集成结构的方法,所述方法包括以下动作:提供具有上表面的第一衬底;在提供所述第一衬底之后,从所述上表面移除仅部分地穿过所述第一衬底的厚度的材料以在所述第一衬底的所述上表面中形成浅沟槽隔离区域;在形成所述浅沟槽隔离区域之后,在所述上表面上和所述浅沟槽隔离区域内沉积具有第一折射率的介电材料;平面化所述介电材料以使得所述介电材料填充所述浅沟槽隔离区域;在第二衬底上形成光子区;将所述第一衬底与所述第二衬底接合在一起,使得所述第一衬底的所述上表面朝向所述第二衬底,并且所述浅沟槽隔离区域与所述光子区对准;以及在所述光子区内形成波导,其中,所述波导包括由具有大于所述第一折射率的第二折射率的材料形成的芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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