[发明专利]用于表面贴装技术的发光二极管及其制造方法以及制造发光二极管模块的方法有效
| 申请号： | 201380034938.9 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN104412397B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡钟炫;张钟敏;卢元英;徐大雄;姜珉佑;李俊燮;金贤儿 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 尹淑梅,戴嵩玮 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种其中通过保护绝缘层限定的构造成包围反射金属层的导电阻挡层的发光二极管(LED)及其制造方法。包括反射金属层和导电阻挡层的反射图案形成在其中形成有第一半导体层、活性层和第二半导体层的发光结构上。在形成工艺过程中，导电阻挡层防止反射金属层的扩散，并且延伸至凹进到具有外伸结构的光刻胶图案下方的保护绝缘层。由此防止导电阻挡层与具有外伸结构的光刻胶图案的侧壁形成接触以及反射金属层形成尖端的现象。由此可以制造出具有各种不同形状的LED模块。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 表面 技术 发光二极管 及其 制造 方法 以及 模块 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：基底；形成在基底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上且被构造成产生光的活性层；形成在活性层上且具有与第一半导体层互补的导电类型的第二半导体层；以及在已形成于第二半导体层上的保护绝缘层之间形成且被构造成反射在活性层中产生的光的反射图案，该反射图案具有与保护绝缘层接触的导电阻挡层，其中，反射图案还包括形成于第二半导体层上且构造成反射光的反射金属层，并且导电阻挡层屏蔽反射金属层的顶部和侧向表面。
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- 贝恩德·迈尔;沃尔夫冈·施密德 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2011-06-17 - 2013-03-20 - H01L33/44
- 本发明提出一种发光二极管芯片，其具有：n型半导体层（3）；p型半导体层（4）；在n型半导体层（3）和p型半导体层（4）之间的有源区域（2）；侧面（14），所述侧面在侧向方向上对n型半导体层（3）、p型半导体层（4）和有源区域（2）限界；掺杂区域（1），在所述掺杂区域中将掺杂物质引入半导体芯片的半导体材料中；和/或中和区域（1），其中掺杂区域（1）和/或中和区域（1）在所述侧面（14）上至少构造在有源区域的区域中，并且发光二极管芯片在工作时设置为用于发射非相干电磁辐射。
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