[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320717901.3 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN203553170U | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 魏琰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型揭示了一种半导体器件，包括衬底，所述衬底至少包括有N阱及STI；所述衬底上形成有栅极多晶硅，所述栅极多晶硅覆盖部分所述N阱及部分STI；所述N阱上形成有第一应力层和第二应力层，所述第一应力层覆盖所述栅极多晶硅位于所述N阱上的部分；所述第二应力层覆盖所述第一应力层外的其他区域；其中，所述第一应力层在L方向提供压应力，所述第二应力层在W方向提供拉应力。本器件能够进一步提升PMOS的迁移率，从而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底至少包括有N阱及STI；所述衬底上形成有栅极多晶硅，所述栅极多晶硅覆盖部分所述N阱及部分STI；所述N阱上形成有第一应力层和第二应力层，所述第一应力层覆盖所述栅极多晶硅位于所述N阱上的部分；所述第二应力层覆盖所述第一应力层外的其他区域；其中，所述第一应力层在L方向提供压应力，所述第二应力层在W方向提供拉应力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320717901.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜太阳能电池的微纳织构
- 下一篇：改良型LED硅胶芯片封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
