[实用新型]一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件有效
| 申请号： | 201320445823.6 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN203406293U | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 罗东向;徐苗;陶洪;庞佳威;周雷;李洪濛;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 510730 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件，器件设置有电荷存储层，金属氧化物薄膜晶体管的有源层位于电荷存储层和金属氧化物薄膜晶体管的绝缘层之间，其制备方法是在常规金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺中增加电荷存储层制备工序。电荷存储层为三氧化钼薄膜层、三氧化钨薄膜层、氧化镍薄膜层、C60薄膜层或PCBM薄膜层等。电荷存储层通过旋涂法、真空热蒸发法、磁控溅射法、原子层沉积法或者丝网印刷法中的任意一种方式成膜制备而成。本实用新型的金属氧化物薄膜晶体管存储器件具有电荷保留时间长、重复性高、读写时间短、密度高的特点，其制作工艺简单、成本低，工艺兼容性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 薄膜晶体管 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件，其特征在于：设置有电荷存储层，金属氧化物薄膜晶体管的有源层位于所述电荷存储层和金属氧化物薄膜晶体管的绝缘层之间。
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