[实用新型]电子器件有效
| 申请号： | 201320347145.X | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN203536444U | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | J·塞勒斯;B·帕德玛纳伯翰 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/06;H01L23/528;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及电子器件。本实用新型要解决的技术问题之一是提供性能得到改进的电子器件。提供一种包括晶体管结构的电子器件，所述电子器件包括：覆盖在衬底之上并且具有主表面的图案化的半导体层，其中所述图案化的半导体层限定从所述主表面向所述衬底延伸的第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽中的第一导电结构；在所述第一沟槽中并且覆盖在所述第一导电结构之上的栅极电极；在所述第二沟槽中的第一绝缘元件；以及在所述第二沟槽中的第二导电结构。本实用新型可被用于电子器件。通过本实用新型，可以获得性能获得提高的电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
一种包括晶体管结构的电子器件，其特征在于，所述电子器件包括： 覆盖在衬底之上并且具有主表面的图案化的半导体层，其中所述图案化的半导体层限定从所述主表面向所述衬底延伸的第一沟槽和第二沟槽； 在所述第一沟槽中的第一导电结构； 在所述第一沟槽中并且覆盖在所述第一导电结构之上的栅极电极； 在所述第二沟槽中的第一绝缘元件；以及 在所述第二沟槽中的第二导电结构，其中： 所述第二导电结构包括第一部分和覆盖在所述第一部分之上的第二部分； 所述第一绝缘元件被设置在所述图案化的半导体层和所述第二导电结构的所述第一部分之间；以及 所述第二导电结构的第二部分在肖特基区域接触所述图案化的半导体层。
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