[实用新型]电子器件

说明书

技术领域

本公开内容总体上涉及电子器件。 

背景技术

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种普通类型的功率开关器件。MOSFET包括源极区域、漏极区域、在源极和漏极区域之间延伸的沟道区域以及邻近沟道区域设置的栅极结构。该栅极结构包括被设置成接近沟道区域并通过薄的电介质层与沟道区域分离的栅极电极层。 

在MOSFET的性能优化中，设计者通常面临在器件参数性能中的权衡。特别地，可用的器件结构或者制作处理选择可以提高一种器件参数，但同时这些选择可能使一种或多种其它器件参数劣化或者导致单元间距明显变得较大。例如，提高品质因数(即，MOSFET的总栅极电荷乘以导通电阻)的可用的结构和处理，可能增加管芯的尺寸，并且较小的管芯尺寸可能具有较低的品质因数。 

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题之一是提供性能得到改进的电子器件。 

根据本实用新型的一个方面，提供一种包括晶体管结构的电子器件，所述电子器件包括：覆盖在衬底之上并且具有主表面的图案化的半导体层，其中所述图案化的半导体层限定从所述主表面向所述衬底延伸的第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽中的第一导电结构；在所述第一沟槽中并且覆盖在所述第一导电结构之上的栅极电极；在所述第二沟槽中的第一绝缘元件；以及在所述第二沟槽中的第二导电结构，其中：所述第二导电结构包括第一部分和覆盖在所述第一部分之上的第二部分；所述第一绝缘元件被设置在所述图案化的半导体层和所述第二导电结构的所述第一部分之间；以及所述第二导电结构的第二部分在肖特基区域接触所述图案化的半导体层。 

优选地，所述第一沟槽比所述第二沟槽宽。 

优选地，在所述第二沟槽内，所述第二导电结构的所述第一部分比所述第二导电结构的所述第二部分窄。 

优选地，所述电子器件进一步包括：设置在所述肖特基区域之上的主体区域；设置在所述第一导电结构和所述图案化的半导体层之间的第二绝缘元件；以及设置在所述栅极电极和所述主体区域之间的栅极电介质层，其中所述栅极电介质层比所述第二绝缘元件薄。 

优选地，所述电子器件进一步包括：设置在所述主体区域之上的源极区域；以及在所述主体区域内并且与所述第二沟槽相邻的主体接触区域，其中所述第二导电结构直接接触所述源极区域和所述主体接触区域。 

优选地，所述电子器件进一步包括：由所述图案化的半导体层所限定的另一个第一沟槽；以及位于所述另一个第一沟槽内的另一个栅极电极，其中所述第二沟槽和第二导电结构被设置在所述第一沟槽和所述第一栅极电极之间。 

优选地，所述第二导电结构的所述第一部分和所述第二导电结构的所述第二部分包含不同的材料。 

优选地，所述第一部分包含掺杂的多晶硅；以及所述第二部分包含钨。 

优选地，所述电子器件进一步包括在所述第一导电结构和所述栅极电极之间的第二绝缘元件，其中，在完成的器件中，所述第一导电结构和所述第二导电结构彼此电连接。 

本实用新型可被用于电子器件。通过本实用新型，可以获得性能获得提高的电子器件。 

附图说明

实施方式通过示例的方式来示出，并且不限于附图。 

图1包括工件的一部分的截面图的图示，该工件包括下层掺杂区、半导体层、硬掩模层和图案化的抗蚀剂层。 

图2包括在形成沟槽以及在沟槽中形成绝缘层之后的图1的工件的截面图的图示。 

图3包括在沟槽中形成导电结构以及在特定的导电结构和沟槽之上形成图案化的抗蚀剂层之后的图2的工件的截面图的图示。 

图4包括在去除某些导电结构的部分并且形成绝缘余部(stub)之后的图3的工件的截面图的图示。 

图5包括在形成栅极电介质层和栅极元件之后的图4的工件的截面图的图示。 

图6包括在形成主体区域、源极区域和硅化物元件之后的图5的工件的截面图的图示。 

图7包括在形成层间电介质层、开口和主体接触区域之后的图6的工件的截面图的图示。 

图8包括在形成绝缘层和导电结构之后的图7的工件的截面图的图示。 

图9包括在形成基本完整的电子器件之后的图8的工件的截面图的图示。 

本领域技术人员应当理解，附图中的部件是出于简明和清楚而示出的，并不必按比例绘制。例如，附图中一些部件的尺寸可以相对于其它部件被放大以有助于增进对于本实用新型实施方式的理解。