[实用新型]一种半导体的堆叠封装结构

摘要

本实用新型涉及一种半导体的堆叠封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括芯片Ⅰ（100）、一个或一个以上芯片Ⅱ（200）和硅基转接板（300）和底填料（400），此三者由上而下依次通过阵列排布的带有锡帽的金属凸点堆叠连接，包封区域包封在硅基载体的四周，包封区域内设置通孔，通孔内填充的金属连接正面再布线金属层与背面再布线金属层，所述背面保护层开口Ⅲ（324）内设置阵列排布的锡球（325）或阵列排布的金属柱（326），所述金属柱（326）的顶端设置锡帽（327）。本实用新型利用芯片和硅基转接板四周的包封区域内形成的通孔结构，实现了芯片之间以及芯片和硅基转接板之间电讯号传递与热传递，封装结构简单、封装成本低、产品成品率高。

主权项

一种半导体的堆叠封装结构，包括芯片和硅基转接板（300），所述芯片包括芯片Ⅰ（100）和芯片Ⅱ（200），所述芯片Ⅰ（100）、芯片Ⅱ（200）和硅基转接板（300）上下依次连接，所述芯片Ⅰ（100）包括芯片本体Ⅰ（101）和设置在芯片本体Ⅰ（101）背面的带有锡帽Ⅰ（103）的金属凸点Ⅰ（102），其特征在于：所述芯片Ⅱ（200）包括硅基载体（201）、正面绝缘层Ⅱ（211）、正面再布线金属层Ⅱ（212）、正面保护层Ⅱ（213）、背面绝缘层Ⅱ（221）、背面再布线金属层Ⅱ（222）、背面保护层Ⅱ（223），所述硅基载体（201）的四周设置包封区域Ⅱ（203），所述包封区域Ⅱ（203）内设置填充金属的通孔Ⅱ（204），所述正面绝缘层Ⅱ（211）设置在硅基载体（201）和包封区域Ⅱ（203）的正面，所述正面再布线金属层Ⅱ（212）设置在正面绝缘层Ⅱ（211）上，所述正面保护层Ⅱ（213）设置在正面绝缘层Ⅱ（211）和正面再布线金属层Ⅱ（212）上，并于正面再布线金属层Ⅱ（212）上形成若干个正面保护层开口Ⅱ（214），所述正面再布线金属层Ⅱ（212）与芯片Ⅰ（100）通过带有锡帽Ⅰ（103）的金属凸点Ⅰ（102）连接，所述锡帽Ⅰ（103）设置在正面保护层开口Ⅱ（214）内，所述背面绝缘层Ⅱ（221）设置在硅基载体（201）和包封区域Ⅱ（203）的背面，所述背面再布线金属层Ⅱ（222）设置在背面绝缘层Ⅱ（221）下，所述背面保护层Ⅱ（223）设置在背面绝缘层Ⅱ（221）和背面再布线金属层Ⅱ（222）下，并于背面再布线金属层Ⅱ（222）下形成若干个背面保护层开口Ⅱ（224），所述背面保护层开口Ⅱ（224）内设置带有锡帽Ⅱ（226）的金属凸点Ⅱ（225），所述正面再布线金属层Ⅱ（212）与背面再布线金属层Ⅱ（222）通过通孔Ⅱ（204）内的金属连接，所述硅基转接板（300）包括硅基载体（301）、正面绝缘层Ⅲ（311）、正面再布线金属层Ⅲ（312）、正面保护层Ⅲ（313）、背面绝缘层Ⅲ（321）、背面再布线金属层Ⅲ（322）、背面保护层Ⅲ（323），所述硅基载体（301）的四周设置包封区域Ⅲ（303），所述包封区域Ⅲ（303）内设置填充金属的通孔Ⅲ（304），所述正面绝缘层Ⅲ（311）设置在硅基载体（301）和包封区域Ⅲ（303）的正面，所述正面再布线金属层Ⅲ（312）设置在正面绝缘层Ⅲ（311）上，所述正面保护层Ⅲ（313）设置在正面绝缘层Ⅲ（311）和正面再布线金属层Ⅲ（312）上，并于正面再布线金属层Ⅲ（312）上形成若干个正面保护层开口Ⅲ（314），所述正面再布线金属层Ⅲ（312）与芯片Ⅱ（200）通过带有锡帽Ⅱ（226）的金属凸点Ⅱ（225）连接，所述锡帽Ⅱ（226）设置在正面保护层开口Ⅲ（314）内，所述背面绝缘层Ⅲ（321）设置在硅基载体（301）和包封区域Ⅲ（303）的背面，所述背面再布线金属层Ⅲ（322）设置在背面绝缘层Ⅲ（321）下，所述背面保护层Ⅲ（323）设置在背面绝缘层Ⅲ（321）和背面再布线金属层Ⅲ（322）下，并于背面再布线金属层Ⅲ（322）下形成若干个背面保护层开口Ⅲ（324）， 所述正面再布线金属层Ⅲ（312）与背面再布线金属层Ⅲ（322）通过通孔Ⅲ（304）内的金属连接。