[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法以及通过该制造方法制造而成的半导体装置。该半导体制造方法可以可靠地清除伴随半导体基板的蚀刻而附着于半导体基板的非意图的杂质，并能够精致地设计半导体基板的杂质的浓度分布。在半导体装置的制造方法中，包含：在基板的表面形成包含对在基板的厚度方向流通的电流进行控制的有源元件的第1半导体区域的工序；研磨基板的背面的工序；利用包含磷的药液蚀刻研磨后的基板的背面的第1蚀刻工序；用蚀刻速率比第1蚀刻低的蚀刻方法蚀刻第1蚀刻后的背面的第2蚀刻工序；以及从第2蚀刻后的基板的背面注入杂质，从而形成上述电流流通的第2半导体区域的工序。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：在基板的表面形成包含对在所述基板的厚度方向流通的电流进行控制的有源元件的第1半导体区域的工序；研磨所述基板的背面的工序；利用包含磷的药液蚀刻研磨后的所述基板的背面的第1蚀刻工序；用蚀刻速率比所述第1蚀刻低的蚀刻方法蚀刻第1蚀刻后的背面的第2蚀刻工序；以及从所述第2蚀刻后的所述基板的背面注入杂质，从而形成所述电流流通的第2半导体区域的工序。