[发明专利]多量程MEMS CMOS静电梳齿谐振器

摘要

本发明涉及一种多量程MEMSCMOS静电梳齿谐振器，其特征是：包括六个量程不同的静电梳齿谐振器结构，每个谐振器单元包括上下锚点、第一叉指电容、第二叉指电容、第三叉指电容、第四叉指电容、上下弹性梁、振子质量块和左右锚点，振子质量块包括左部质量块和右部质量块；在所述左部质量块的上部和下部的左侧面上设有第一叉齿电容，在右部质量块的上部和下部的右侧面上设有第二叉指电容；在所述左锚点上设有第三叉指电容，在右锚点上设有第四叉电容；所述第一叉指电容与第三叉指电容等距离交叉配置，第二叉指电容与第四叉指电容等距离交叉配置；每个谐振器单元的叉指电容大小不同。本发明提高了电容式压力传感器的灵敏度和测量范围。

主权项

一种多量程MEMS CMOS静电梳齿谐振器，其特征是：包括连接在一起的第一谐振器单元（100）、第二谐振器单元（200）、第三谐振器单元（300）、第四谐振器单元（400）、第五谐振器单元（500）和第六谐振器单元（600），第一谐振器单元（100）、第二谐振器单元（200）、第三谐振器单元（300）、第四谐振器单元（400）、第五谐振器单元（500）和第六谐振器单元（600）分别具有两个输出端，第一谐振器单元（100）、第二谐振器单元（200）、第三谐振器单元（300）、第四谐振器单元（400）、第五谐振器单元（500）和第六谐振器单元（600）的输入端由金属连线合并连接；所述第一谐振器单元（100）、第二谐振器单元（200）、第三谐振器单元（300）、第四谐振器单元（400）、第五谐振器单元（500）和第六谐振器单元（600）分别包括基底（7）及基底（7）上的结构层，结构层包括上锚点（1‑1）、下锚点（1‑2）、第一叉指电容（2‑1）、第二叉指电容（2‑2）、第三叉指电容（2‑3）、第四叉指电容（2‑4）、上弹性梁（3‑1）、下弹性梁（3‑2）、振子质量块、左锚点（6‑1）和右锚点（6‑2）；所述振子质量块包括左部质量块（4‑1）和右部质量块（4‑2），左部质量块（4‑1）和右部质量块（4‑2）由连接梁（5）连接；所述上弹性梁（3‑1）和下弹性梁（3‑1）分别包括四条折梁，上弹性梁（3‑1）的四条折梁分别连接上锚点（1‑1）和振子质量块，下弹性梁（3‑2）的四条折梁分别连接下锚点（1‑2）和振子质量块；在所述左部质量块（4‑1）的左侧面上设有梳齿状排列的第一叉齿电容（2‑1），在右部质量块（4‑2）的右侧面上设有梳齿状排列的第二叉指电容（2‑2）；在所述左锚点（6‑1）靠近左部质量块（4‑1）的侧面上设有梳齿状排列的第三叉指电容（2‑3），在右锚点（6‑2）靠近右部质量块（4‑2）的侧面上设有梳齿状排列的第四叉电容（2‑4）；所述第一叉指电容（2‑1）位于两个第三叉指电容（2‑3）的空隙之间，且第一叉指电容（2‑1）与第三叉指电容（2‑3）呈等距离的交叉配置；所述第二叉指电容（2‑2）位于两个第四叉指电容（2‑4）的空隙之间，且第二叉指电容（2‑2）与第四叉指电容（2‑4）呈等距离的交叉配置。