[发明专利]一种发光半导体器件

摘要

本发明公开了一种发光半导体器件，包括N型半导体和依次设置于N型半导体一侧上的有源区、P型半导体和P电极，P型半导体具有粗糙表面，且在P型半导体的粗糙表面上采用PVD镀有光提取镀层，N电极设置于N型半导体另一侧上；当N电极设置于N型半导体上且与P电极同侧时，衬底设置于N型半导体另一侧上。本发明通过在P型半导体上制作粗糙表面，以及采用PVD在该P型半导体的粗糙表面镀有光提取镀层，使得发光半导体器件的出光效率至少提高了5%。

主权项

一种发光半导体器件，其特征在于，包括P型半导体(203)和设置于P型半导体(203)上的P电极(102)，该P型半导体(203)具有粗糙表面，且在P型半导体(203)的粗糙表面上镀有光提取镀层(301)；还包括依次设置于P型半导体(203)与P电极(102)相对一侧上的有源区(202)和N型半导体(201)，N电极(101)设置于N型半导体(201)上；光提取镀层(301)为高折射率材料涂层与低折射率材料涂层交替使用的复合层，且首先采用PVD将高折射率材料镀在P型半导体(203)的粗糙表面上，其中，高折射率材料采用TiO2、Ti2O5或ZrO2中的一种或多种，低折射率材料采用SiO2；一层高折射率材料涂层与一层低折射率材料涂层组成一组复合层，且每一组复合层的高折射率材料涂层的膜厚Tnh与低折射率材料的膜厚TnL的比例为Tnh：TnL，从下至上所有组复合层的高折射率材料涂层的膜厚Tnh与低折射率材料的膜厚TnL的比例依次减小；当N电极(101)设置于N型半导体(201)上且与P电极(102)同侧时，该N型半导体(201)的纵向截面呈阶梯型，其具有高阶表面和低阶表面，在N型半导体(201)的高阶表面上依次设置有源区(202)、P型半导体(203)和P电极(102)，在N型半导体(201)的低阶表面上设置N电极(101)，且在N型半导体(201)与P电极(102)相对一侧上还设置有衬底(104)；光提取镀层(301)的层数为6～20层，第一层高折射率材料涂层的膜厚为100nm～1000nm。