[发明专利]半导体装置及用于制作半导体装置的方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置及用于制作半导体装置的方法。标准存储器芯片(150)借助于堆叠到大硅中介层(110)上的小硅中介层(120)而与分裂架构的两个处理器芯片(130、140)垂直组装；两个中介层均包含穿硅通孔TSV，而所述芯片不具有TSV。小中介层(120)的所述TSV连接到所述存储器芯片(150)及所述底部中介层(110)。相对于中介层(120)对称定位且通过短信号迹线连接到中介层(120)的芯片(130、140)附接到中介层(110)的所述TSV，所述中介层(110)又借助供应连接附接到衬底(160)。

主权项

一种半导体装置，其包括：第一硅中介层，其具有第一表面及相对第二表面以及第一TSV，所述第一TSV从所述第一表面穿过所述第一中介层延伸到所述第二表面，所述第一TSV排列成第一组、第二组及第三组；所述第一组位于第一中介层区域中且与焊接到所述第一组的第一芯片的端子匹配，其中所述第一芯片垂直堆叠于所述第一中介层的所述第一表面上，所述第一芯片连同焊料具有第一高度；所述第二组位于第二中介层区域中且与焊接到所述第二组的第二芯片的端子匹配，其中所述第二芯片垂直堆叠于所述第一中介层的所述第一表面上，所述第二芯片连同所述焊料具有第二高度；且所述第三组位于所述第一区域与所述第二区域之间且与第二硅中介层的端子匹配，所述第三组的所述TSV通过导电迹线连接到所述第一组及所述第二组的TSV；第二硅中介层，其具有第三表面及相对第四表面以及第二TSV，所述第二TSV从所述第三表面穿过所述第二中介层延伸到所述第四表面，所述第二TSV与第三半导体芯片的端子匹配；所述第二中介层焊接到所述第三TSV组，其中所述第二中介层垂直堆叠于所述第一中介层上，所述第二中介层连同所述焊料的高度至少与所述第一高度及所述第二高度一样大；且所述第三芯片焊接到所述第二中介层，其中所述第三芯片垂直堆叠于所述第二中介层上。