[发明专利]半导体器件的边角蚀刻方法

摘要

一种半导体器件的边角蚀刻方法，包括：提供包括器件区域以及位于器件区域周围的边角区域的衬底；在器件区域的衬底上形成半导体器件、第一层间介质层、第一导电插塞以及第二层间介质层，并在第二层间介质层中形成接触孔；对接触孔进行清洗；进行第一边角蚀刻，以去除边角区域的剩余的第二氧化物层；进行第二边角蚀刻，以去除边角区域的金属层，而保留第一氧化物层以及半导体层；本发明具有以下优点：能够较为快速的去除晶圆的边角区域上的第二氧化物层，以将所述第二氧化物层下方的金属层暴露出来；较为完整地保留在所述边角区域，使得在后续形成导电金属插塞的步骤中，边角区域的半导体层不容易暴露出而产生剥落现象。

主权项

一种半导体器件的边角蚀刻方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区域以及位于器件区域周围的边角区域；在所述器件区域的衬底上形成半导体器件、覆盖半导体器件的第一层间介质层、以及位于所述第一层间介质层中的第一导电插塞；在所述形成半导体器件、第一层间介质层以及第一导电插塞的过程中，在所述边角区域的衬底上形成半导体层，以及依次位于所述半导体层上的第一氧化物层以及金属层；在所述第一层间介质层上形成第二层间介质层，并在所述第二层间介质层中形成接触孔；在所述形成第二层间介质层、形成接触孔的过程中，在所述边角区域的衬底的金属层上形成第二氧化物层；对所述接触孔进行清洗，所述边角区域的衬底的第二氧化物层的一部分被去除；对所述边角区域进行第一边角蚀刻，以去除所述边角区域的剩余的第二氧化物层；在第一边角蚀刻之后，对所述边角区域进行第二边角蚀刻，以去除所述边角区域的金属层，而保留所述第一氧化物层以及半导体层。