[发明专利]一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路及仿真方法有效
| 申请号： | 201310602790.6 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103579352A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 乔明;何逸涛;张康;代刚;吴文杰;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;G05B17/02 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路及其仿真方法。本发明的一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路，包括PMOS管，其特征在于，所述PMOS管的漏极与可变电压源Vnh连接、衬底与固定电压源VHV连接、栅极与源极接地。本发明的有益效果为，高压PMOS管的源级与衬底之间的电势差始终为固定的应用高压电源电压VHV，该电势差大小等于衬底所加固定电压值，本发明提供的SOI高压PMOS管击穿电压仿真电路及方法弥补了常规仿真电路及测试方法中SOI高压PMOS管的源级与衬底之间的电势差随漏极所加电压Vnh变化而变化这一缺陷，与实际应用中SOI高压PMOS管的情况更加符合。本发明尤其适用于SOI高压PMOS器件的仿真。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 soi 高压 pmos 器件 仿真 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路，包括PMOS管，其特征在于，所述PMOS管的漏极与可变电压源Vnh连接、衬底与固定电压源VHV连接、栅极与源极接地。
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