[发明专利]具有场电极的晶体管器件有效
| 申请号： | 201310556439.8 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103681867A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | F·希尔勒;A·毛德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马红梅;马永利 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及具有场电极的晶体管器件。一种晶体管器件包括半导体主体，所述半导体主体具有源区、漂移区以及处于源区和漂移区之间的体区。源电极与所述源区电耦合。邻近所述体区的栅电极通过栅极电介质与所述体区介电绝缘。邻近所述漂移区的场电极通过场电极电介质与所述漂移区介电绝缘，且与所述栅电极和所述源电极之一电耦合。整流元件将所述场电极与所述栅电极和所述源电极之一电耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电极 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种晶体管器件，包括：半导体主体，其包括源区、漂移区以及处于源区和漂移区之间的体区；源电极，其与所述源区电耦合；栅电极，其邻近所述体区且通过栅极电介质与所述体区介电绝缘；场电极，其邻近所述漂移区，通过场电极电介质与所述漂移区介电绝缘，且与所述栅电极和所述源电极之一电耦合；以及整流元件，其将所述场电极与所述栅电极和所述源电极之一电耦合。
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