[发明专利]用于混合晶圆接合的方法

摘要

公开一种用于混合晶圆接合的方法。在一个实施例中，公开了一种方法，包括在至少两个半导体衬底之上的介电层中形成金属焊盘层；对半导体衬底执行化学机械抛光，以暴露金属焊盘层的表面，并且平坦化介电层，以在每个半导体衬底上形成接合表面；对至少两个半导体衬底执行氧化工艺，以氧化金属焊盘层，形成金属氧化物；执行蚀刻以去除金属氧化物，使金属焊盘层的表面从至少两个半导体衬底中的每个的介电层的接合表面凹陷；使至少两个半导体衬底的接合表面在物理上接触；以及执行热退火，以在半导体衬底的金属焊盘之间形成接合。公开了附加方法。

主权项

一种晶圆接合的方法，包括：在至少两个半导体衬底之上的介电层中形成金属焊盘层；对所述半导体衬底执行化学机械抛光，以暴露所述金属焊盘层的表面，并且平坦化所述介电层，以在每个所述半导体衬底上形成接合表面；对所述至少两个半导体衬底执行氧化工艺，以氧化所述金属焊盘层，从而形成金属氧化物；执行蚀刻，以去除所述金属氧化物，从所述至少两个半导体衬底的每一个的所述介电层的所述接合表面中暴露出所述金属焊盘层的表面，其中，去除所述氧化物之后的所述至少两个半导体衬底的所述金属焊盘的表面轮廓满足预定轮廓匹配参数，其中，所述轮廓匹配参数包括去除所述金属氧化物之后的所述金属焊盘的表面与所述介电层的表面的距离以及不同距离之间的关系，以使得所述金属焊盘接合时能够无缝且牢固接合；将所述至少两个半导体衬底的所述接合表面物理接触；以及执行热退火，以在所述半导体衬底的所述金属焊盘层之间形成直接接合。