[发明专利]含刻蚀阻挡层的半导体器件及其制造方法和应用无效
| 申请号： | 201310477979.7 | 申请日： | 2013-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN103500738A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 马群刚 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/336;H01L21/027 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 210038 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含刻蚀阻挡层的半导体器件及其制造方法和应用，该半导体器件包括衬底基板，衬底基板上依次设有栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、刻蚀阻挡层、源极、漏极和保护绝缘层，所述的半导体有源层覆盖栅极绝缘层，刻蚀阻挡层覆盖半导体有源层，刻蚀阻挡层上设置源极和漏极，源极与半导体有源层之间的刻蚀阻挡层以及漏极与半导体有源层之间的刻蚀阻挡层通过高温退火处理形成具有导电功能的导电接触层。上述半导体器件如想作为驱动TFT-LCD或者OLED的半导体器件，还需在漏极上刻蚀保护绝缘层形成接触孔，且像素电极通过接触孔与漏极进行电学连接。本发明的半导体器件相比传统工艺可省略两张掩膜版及相应地两次曝光工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 阻挡 半导体器件 及其 制造 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种含刻蚀阻挡层的半导体器件，包括衬底基板，衬底基板上依次设有栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、刻蚀阻挡层、源极、漏极和保护绝缘层，其特征在于：所述的半导体有源层覆盖栅极绝缘层，刻蚀阻挡层覆盖半导体有源层，刻蚀阻挡层上设置源极和漏极，源极与半导体有源层之间的刻蚀阻挡层以及漏极与半导体有源层之间的刻蚀阻挡层通过高温退火处理形成具有导电功能的导电接触层。
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