[发明专利]内容可寻址存储器以及内容可寻址存储器的列修复方法有效

专利信息
申请号: 201310472878.0 申请日: 2013-10-11
公开(公告)号: CN103778956A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 黄睿夫;徐汉光 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: G11C15/04 分类号: G11C15/04
代理公司: 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 代理人: 张金芝;杨颖
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种内容可寻址存储器以及内容可寻址存储器的列修复方法。该内容可寻址存储器包括内容可寻址存储器数组、路径选择电路和控制电路。内容可寻址存储器数组包括多个主列以及至少一个备用列;路径选择电路,用于接收输入搜索数据;以及控制电路,用来控制路径选择电路耦接至多个被选取的列,并将多个主列中所找到的至少一个故障列中的每一个内容可寻址存储器单元设定为匹配状态,其中至少一个故障列未被包括于多个被选取的列中,以及至少一个备用列被包括于多个被选取的列中。本发明所提供的内容可寻址存储器以及内容可寻址存储器的列修复方法,可产生内容可寻址存储器数组中的行的正确的数据比较输出。
搜索关键词: 内容 寻址 存储器 以及 修复 方法
【主权项】:
一种内容可寻址存储器,其特征在于,包括:内容可寻址存储器数组,包括内容可寻址存储器单元的多个主列以及内容可寻址存储器单元的至少一个备用列;路径选择电路,用于接收输入搜索数据,以及将该输入搜索数据的多个比特分别输出至该内容可寻址存储器数组中多个被选取的列;以及控制电路,用于控制该路径选择电路耦接至该多个被选取的列,并将该多个主列中所找到的至少一个故障列中的每一个内容可寻址存储器单元设定为匹配状态,其中该至少一个故障列未被包括于该多个被选取的列中,以及该至少一个备用列被包括于该多个被选取的列中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司,未经联发科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310472878.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 存储器系统及其操作方法-201811074940.X
  • 金正爱;金永东 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-09-14 - 2019-07-23 - G11C15/04
  • 本发明涉及一种存储器系统,包括:非易失性存储器装置,包括CAM(内容可寻址存储器)区域;以及控制器,包括随机存取存储器和控制单元,随机存取存储器存储非易失性存储器装置的初始设置参数,控制单元控制对存储在CAM区域中的非易失性存储器装置的设置参数的初始化操作,其中控制单元包括参数确定电路,该参数确定电路通过将从非易失性存储器装置接收的验证参数与初始设置参数进行比较来确定初始化操作是否成功。
  • 搜索存储器-201811615859.8
  • 松冈秀人 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-12-27 - 2019-07-23 - G11C15/04
  • 本公开的各实施例涉及搜索存储器。本公开提供了能够抑制芯片面积的增加和电流消耗量的增加的搜索存储器。搜索存储器包括输入控制区段、N个搜索单元和N个第一选择器。输入控制区段接收并行输入的N个(N:两个或更多)搜索数据。N个第一选择器分别与N个搜索单元相关联地设置,以从N个搜索数据中选择两个搜索数据。搜索单元各自包括多个搜索块和M个第二选择器。M个第二选择器选择由第一选择器选择的两个搜索数据中的一个搜索数据。针对N个搜索单元中的至少一个搜索单元,执行分配,使得与N个搜索数据分别相关联的N种类型的条目数据中的两种类型分别存储在搜索块中。
  • 半导体设备-201811427788.9
  • 伊贺上太 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-11-27 - 2019-07-19 - G11C15/04
  • 本发明提供了可以减少功率消耗的半导体设备,包括:以矩阵布置的多个检索存储器单元;多个匹配线,被提供为对应于每个存储器单元行,以确定在检索存储器单元中存储的数据和检索数据之间的匹配/失配;多个匹配线保持电路,被提供为对应于匹配线中的每个匹配线;存储模块,用于存储与匹配线中的每个匹配线的状态有关的信息;以及选择电路,用于基于在存储模块中存储的信息选择性地激活匹配线保持电路。
  • 半导体器件-201811594121.8
  • 薮内诚;新居浩二 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-12-25 - 2019-07-19 - G11C15/04
  • 提供了可以执行高速搜索操作的半导体器件。半导体器件包括:多个搜索存储单元,以矩阵形式布置;多个搜索线对,分别设置为与存储单元列相对应,并且分别传输将与存储在搜索存储单元中的数据进行比较的多个搜索数据;多个搜索驱动器,分别布置为对应于搜索线对的一端侧,并且根据搜索数据驱动搜索线对;以及多个辅助电路,分别设置为对应于搜索线对的另一端侧,并且根据搜索数据辅助驱动对应的搜索线对。
  • 半导体器件-201811553812.3
  • 石井雄一郎 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-12-19 - 2019-07-02 - G11C15/04
  • 提供了半导体器件以便在抑制面积增加的同时降低耦合噪声。半导体器件包括:按行和列布置的存储器单元;为第一端口布置且各自对应于存储器单元的相应行而布置的多个第一字线;为第二端口布置且各自对应于存储器单元的相应行而布置的多个第二字线;各自被设置在相应的第一字线上方的多个第一虚设字线;各自被设置在相应的第二字线上方的多个第二虚设字线;驱动第一字线和第二字线的字线驱动器;以及虚设字线驱动器,用于以相反的相位借助于字线驱动器根据来自第一字线和第二字线中的第一字线的驱动来驱动针对相邻第二字线的第二虚设字线、或者借助于字线驱动器根据来自第一字线和第二字线中的第二字线的驱动来驱动针对相邻第一字线的第一虚设字线。
  • 感测放大器电路-201610993939.1
  • 赖淑琳;林书玄;黄世煌 - 联发科技股份有限公司
  • 2016-11-11 - 2019-06-14 - G11C15/04
  • 本发明提供一种感测放大器电路,包含:单端感测放大器;以及隔离开关,耦接在偏置节点与存储器设备的第一线之间,接收单端感测放大器的输出并选择性隔离该偏置节点与该第一线,以回应该单端感测放大器的该输出,其中该第一线耦接到该存储器设备的多个存储器单元。本发明所提出的感测放大器电路能够大幅降低搜索操作时的电路功耗。
  • 半导体集成电路-201510278624.4
  • 松冈秀人;岸田正信 - 瑞萨电子株式会社
  • 2015-05-27 - 2019-05-17 - G11C15/04
  • 本公开涉及半导体集成电路。提供了一种用于减小内容可寻址存储器(CAM)系统的功耗的技术。在CAM系统中,均衡电路被耦连到通过划分对应于一条条目数据的每一个匹配线而产生的多个匹配线部分之间的边界部,并且预充电电路将共同对应于一条条目数据的匹配线部分中的每一个预充电到电压VDD或者VSS。当比较条目数据和搜索数据时,在匹配线部分被预充电电路预充电之后,均衡电路根据控制信号耦连所述匹配线部分。在均衡时段,开始通过搜索线的搜索操作。用于比较搜索数据和条目数据的搜索晶体管包括NMOS搜索晶体管。
  • 内容寻址存储单元电路及其搜索和写操作方法、存储器-201510465735.6
  • 陈才;曾志刚;朱一东;曹明富;赵俊峰 - 华为技术有限公司
  • 2015-07-31 - 2019-01-08 - G11C15/04
  • 本发明公开了一种内容寻址存储单元电路及其搜索和写操作方法、存储器。本发明包括:第一、二忆阻器、搜索信号线、写信号线、匹配线、输出线、第一、二数据线、公共电压线、第一、第二和第三晶体管;第一忆阻器和第二忆阻器相连,相连处为分压点;第一忆阻器与第一数据线相连,第二忆阻器与第二数据线相连;分压点、公共电压线和写信号线与第一晶体管相连,写信号线的输出用于控制分压点与公共电压线之间的导通与断开;分压点、搜索信号线、第三晶体管分别与第二晶体管相连,搜索信号线的输出用于控制分压点与第三晶体管之间的导通与断开;匹配线、输出线和第二晶体管分别与第三晶体管相连,第二晶体管的输出用于控制匹配线与输出线的导通与断开。
  • 半导体器件-201810552109.4
  • 林大悟 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-05-31 - 2019-01-01 - G11C15/04
  • 一种半导体器件包括:N个子块,每个均包括存储器单元阵列;设置寄存器,用于指定第一至第N个条目数据中用于预搜索的条目数据的数量,第一至第N个条目数据被划分且分别对应于子块;以及搜索数据改变单元,用于基于寄存器的值改变用于搜索数据输入的数据布置顺序。用于预搜索的子块响应于指令根据改变单元改变的布置顺序搜索与用于预搜索的数据相匹配的条目数据,并且输出表示匹配或不匹配的搜索结果。后搜索的子块基于用于预搜索的子块的搜索结果在与阵列的每一行相关联地存储的条目数据中搜索除与用于预搜索的数据之外的用于后搜索的数据相匹配的条目数据,并且输出表示匹配或不匹配的搜索结果。
  • 内容可寻址存储器-201810494579.X
  • 薮内诚;田中信二 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-05-22 - 2018-12-07 - G11C15/04
  • 本发明涉及内容可寻址存储器。本发明的目的是提供一种高度可靠的内容可寻址存储器。提供了一种内容可寻址存储器,该内容可寻址存储器包括:多个CAM单元;与CAM单元接合的字线;与CAM单元接合的多个位线;与CAM单元接合的多个搜索线;与CAM单元接合的匹配线;与匹配线接合的匹配放大器;以及能够根据字线的值来选择匹配放大器的输出的选择电路。
  • 可规划的非易失性内容可定址存储器及其操作方法-201510226561.8
  • 王立中 - 闪矽公司
  • 2015-05-06 - 2018-08-28 - G11C15/04
  • 本发明提供一种可规划的非易失性内容可定址存储器及其操作方法,该非易失性内容可定址存储器包含一个互补的非易失性存储器装置对及一个MOSFET装置。规划的非易失性内容可定址存储器单元可被建构以形成一NOR型匹配线非易失性存储器阵列及一NAND型匹配线非易失性存储器阵列。相较于只能根据已知的储存地址利用地址码来存取随机存储器,本发明可规划的非易失性内容可定址存储器可预先规划非易失性存储器内容数据以及利用输入内容数据来搜寻以触发后续的运算过程。本发明可规划的非易失性内容可定址存储器的独特性为神经运算技术提供一个关键元件。
  • 内容可寻址存储器-201310589789.4
  • 李鸿瑜;包建元 - 瑞昱半导体股份有限公司
  • 2013-11-20 - 2018-08-14 - G11C15/04
  • 本发明揭示一种内容可寻址存储器,其包括:一数据存储单元;一屏蔽存储单元;以及一比较及读取单元,连接至少一读取字线以接收至少一读取字信号,连接至少一功能位线以接收一搜寻位信号,并耦接该数据存储单元及该屏蔽存储单元以接收该数据位及该屏蔽位;其中,该数据存储单元连接一数据用写入字线以接收一数据写入字信号,该屏蔽存储单元连接一屏蔽用写入字线以接收一屏蔽写入字信号,藉以控制一写入位信号是否可经由一对写入位线被写入该数据位及该屏蔽位;其中,该比较及读取单元比较该数据位、该屏蔽位、及该搜寻位信号,藉以决定上述三者之间是否匹配;及其中,该比较及读取单元依据该至少一读取字信号决定该数据位及该屏蔽位是否可被读取。
  • 多核微处理器功率选通高速缓存恢复编程机制-201480062556.1
  • G.葛兰.亨利;弟尼斯.K.詹;史蒂芬.嘉斯金斯 - 上海兆芯集成电路有限公司
  • 2014-12-12 - 2018-08-07 - G11C15/04
  • 一种装置包括设备编程器和存储装置。设备编程器利用用于布置在管芯上的多个核心的压缩的配置数据来对半导体熔丝阵列进行编程。存储装置具有每个对应于多个核心中的每一个核心的多个子存储装置,其中多个核心中的一个被配置为在上电/重置之后访问半导体熔丝阵列以进行读取并对压缩的配置数据进行解压缩,并且将用于多个核心中的每一个核心内的一个或多个高速缓存存储器的多个解压缩的配置数据集合存储在多个子存储装置中,并且其中,在功率选通事件之后,多个核心中的每一个之一随后访问多个子存储装置中的每一个的相应子存储装置,以检索和采用解压缩的配置数据集合来初始化一个或者多个高速缓存。
  • 半导体装置及写入/读取登录位址于半导体装置中的方法-201380074530.4
  • 大塚宽治;佐藤阳一;秋山丰;藤井文明;长泽达也;上井稔 - 长瀬产业株式会社
  • 2013-12-26 - 2018-06-12 - G11C15/04
  • 提供一种实现低电力消耗性与高速搜寻功能的新颖半导体装置及使用该半导体装置的方法。该半导体装置具备搜寻存储垫102及连接于搜寻存储垫的控制电路105,搜寻存储垫102设有朝y轴方向分配登录位址记入用位置,朝x轴方向分配关键数据的结构。搜寻存储垫藉由将关键数据分配区域沿y轴方向分割成多个,形成有多个分割存储单元。控制电路具有:输入部1051,供关键数据的输入;分割部1052,将输入到输入部的关键数据分割成多个;及写入部1053,将分割部所分割的各个关键数据以经分割的关键数据作为位址分配到分割存储单元,并将与经分割的各个关键数据对应的登录位址写入到分割存储单元。
  • 存储器及其搜索控制电路-201610507687.7
  • 郭敏;谢海春;蒋汉柏;廖北平 - 湖南恒茂高科股份有限公司
  • 2016-06-30 - 2018-06-05 - G11C15/04
  • 本发明涉及一种存储器及其搜索控制电路,包括块有效判断装置和搜索线驱动装置,块有效判断装置用于连接存储器的搜索块每个行中的有效位单元,搜索线驱动装置连接块有效判断装置,还用于连接存储器的搜索线以及与搜索线对应的存储器单元。通过块有效判断装置检测有效位单元输出电平的状态来判断对应行是否有效,当所有行均无效时说明搜索块不参与搜索,将搜索线驱动装置关断从而关闭搜索块的所有搜索线。即使搜索线有输送搜索时钟信号也会被搜索线驱动装置挡住,搜索块所有的搜索线不会翻转,搜索块内线电容和结电容就不会冲放电,从而达到降低存储器功耗的目的。
  • 半导体装置-201721142008.7
  • 新居浩二 - 瑞萨电子株式会社
  • 2017-09-06 - 2018-05-01 - G11C15/04
  • 半导体装置具有第一单元;第二单元;第一匹配线及第二匹配线;传输第一数据的第一搜索线对;传输第二数据的第二搜索线对;第一逻辑运算单元,与第一搜索线对和第一匹配线连接,且基于单元第一组件及第二组件保持的信息和第一数据的比较结果而驱动第一匹配线;以及第二逻辑运算单元,与第二搜索线对和第二匹配线连接,且基于单元第一组件及第二组件保持的信息和第二数据的比较结果而驱动第二匹配线。
  • 一种非易失三态内容寻址存储器及其寻址方法-201610891521.X
  • 薛晓勇;林殷茵 - 复旦大学
  • 2016-10-12 - 2018-04-20 - G11C15/04
  • 本发明公开了一种非易失三态内容寻址存储器及其寻址方法,所述存储器包括搜索线、匹配线、互补搜索线和多个存储单元,所述存储单元包括第一存储电阻和第二存储电阻,所述第一存储电阻的第一端与所述搜索线相连,所述第一存储电阻的第二端与所述匹配线相连,所述第二存储电阻的第一端与所述互补搜索线相连,所述第二存储电阻的第二端与所述匹配线相连。本发明提供的非易失三态内容寻址存储器及其寻址方法,具有存储密度大和可靠性强特点。
  • 一种非易失三态内容寻址存储器及其寻址方法-201610885142.X
  • 薛晓勇;林殷茵 - 复旦大学
  • 2016-10-11 - 2018-04-17 - G11C15/04
  • 本发明涉及嵌入式控制领域,公开了一种非易失三态内容寻址存储器及其寻址方法,所述存储器包括搜索线、匹配线、互补搜索线和多个存储单元,所述存储单元包括第一存储电阻和第二存储电阻,所述第一存储电阻的第一端与所述搜索线相连,所述第一存储电阻的第二端与所述匹配线相连,所述第二存储电阻的第一端与所述互补搜索线相连,所述第二存储电阻的第二端与所述匹配线相连。本发明提供的非易失三态内容寻址存储器及其实现寻址方法,具有存储密度大和可靠性强特点。
  • 用于减轻搜索和写入冲突的匹配线保持技术-201680043213.X
  • R·纳德卡尔尼;M·加尔吉 - 高通股份有限公司
  • 2016-08-04 - 2018-03-27 - G11C15/04
  • 系统和方法涉及内容可寻址存储器CAM的匹配线接收器。所述CAM的提供针对数据字的搜索操作的命中/未中指示的匹配线被提供到所述匹配线接收器。所述匹配线接收器包括用以提供命中/未中输出的保持电路,其中即使由所述匹配线提供的所述命中/未中指示在时钟的第一时钟相位期间由写入操作或失效操作修改,所述保持电路仍在所述第一时钟相位期间保持由所述匹配线在所述命中/未中输出处提供的所述命中/未中指示。
  • 一种或型级联匹配线结构-201510465640.4
  • 张建伟;郑善兴;吴国强;陈晓明;丁秋红;滕飞;马万里;李佳琪;王政操;郝文凯 - 大连理工大学
  • 2015-08-03 - 2017-12-26 - G11C15/04
  • 本发明涉及一种匹配线结构,一种或型级联匹配线结构,由第一、二…N个单级OR型匹配线电路串联级联组成,所述每个单级OR型匹配线电路中包括比较控制模块、敏感放大器及第1、2…n个TCAM单元,所述比较控制模块与敏感放大器之间通过匹配线ML连接,所述第1、2…n个TCAM单元分别与匹配线ML并联连接,本发明由于大部分搜索操作都在第一级发生失配,无需启动后级搜索操作,且单级匹配线功耗跟TCAM单元数相关性较小,因此整体电路匹配线平均功耗不会因为字电路位数的增加而增加。同时该匹配线结构不需要对搜索线进行复位操作,有利于降低搜索线功耗。
  • 一种低匹配线电容的TCAM单元-201510468136.X
  • 张建伟;郑善兴;吴国强;陈晓明;丁秋红;滕飞;马万里;李佳琪;王政操;郝文凯 - 大连理工大学
  • 2015-08-03 - 2017-12-26 - G11C15/04
  • 本发明涉及一种TCAM单元,一种低匹配线电容的TCAM单元,包括MOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5及反相器T1、T2、T3、T4,所述T1输出端与T2输入端相连作为存储数据D端,T1输入端与T2输出端相连作为D#端,MN1栅极与D#端相连,MN2栅极与D端相连;T3输出端与T4输入端相连作为屏蔽位M端,T3输入端与T4输出端相连作为M#端;MN3栅极与M#端相连,源极分别与MN1、MN2漏极相连,MN4栅极与M端相连,源极接地,MN3、MN4漏极相连并与MN5栅极相连,源极接地,漏极与匹配线ML相连。本发明TCAM单元的匹配线等效电容仅为传统NOR型TCAM单元匹配线等效电容的1/4,大大降低了匹配线功耗。另外,由于D和D#互补,避免了两个MOS管之间短路问题的发生。
  • log2型匹配线电路-201410109343.1
  • 张建伟;吴国强;吴志刚;沙建军;殷存禄 - 大连市恒珑科技发展有限公司
  • 2012-01-12 - 2017-11-21 - G11C15/04
  • 本发明提出了一种可适用于CAM(Content Addressable Memory)等结构的log2型匹配线电路,该log2型匹配线电路包括h级电路,所述h为正整数,所述h级电路的第一级电路与时钟信号连接,所述h级电路的第j级电路包括2j‑1个门电路,所述第j级电路的每一个门电路与第j+1级电路的两个门电路连接,所述j=1,2,…,h‑1,h。本发明的log2型匹配线电路由多级门电路构成,在数据位数较宽时能大大缩减组成字电路的门的级数,提高电路的工作速度,且连线复杂度低,利于工程实现。本发明的匹配线电路所有的log2型匹配线电路同时启动,能够大大缩减组成字电路的门的级数,进一步提高速度。
  • 存储单元-201410155887.1
  • 廖忠志 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2014-04-17 - 2017-07-28 - G11C15/04
  • 本发明公开了用于存储单元的单元布局,诸如,用于三元内容可寻址存储器(TCAM)。一些单元布局包括阱带结构。单元布局可以沿着布局顺序地包括p掺杂阱、n掺杂阱、以及p掺杂阱。另一个单元布局可以沿着布局顺序地包括p掺杂阱、n掺杂阱、p掺杂阱、以及n掺杂阱。阱带结构可以位于p掺杂阱或n掺杂阱中。可以通过存储单元布局使用具有网的多种金属化层。在一些公开的实例中,第一金属化层可以具有一条、两条或四条接地导线,并且第二金属化层可以具有两条接地导线。可以将这些多种接地导线电连接在一起以形成网。
  • 一种区间匹配CAM单元电路及其组成的RCAM存储器-201410044641.7
  • 张建伟;殷存禄;吴国强;郑善兴;丁秋红;潘阿成;李中洲;吕文欢;王建;陈晓明;苗延楠 - 大连理工大学
  • 2014-01-30 - 2017-07-21 - G11C15/04
  • 本发明涉及集成电路制造技术领域,一种区间匹配CAM单元电路及其组成的RCAM存储器,所述高电压摆幅大于区间匹配单元GERMC电路中,第五NMOS管MN5与第一PMOS管MP1互补组合,MP1栅极与D#端相连,源极与第三输入SL相连,第六NMOS管MN6与第二PMOS管MP2互补组合,MP2栅极与D端相连,源极与第四输入SL#相连,两个相互串联组合管之间连接的节点处均与第一、第二NMOS管MN1、MN2的栅极相连,第三NMOS管MN3的漏极与第二输入GE path相连,其栅极与D#端相连。本发明引入两个PMOS管将传输管MN5与MN6变成传输门,提高了P点电压摆幅,可以达到电源电压VDD,使等于链与大于链的信号传输速度增加,电路速度变快,同时也提高了单元电路的鲁棒性,提高了抗噪声能力。
  • 内容可寻址存储器芯片-201310102743.5
  • 岸田正信 - 瑞萨电子株式会社
  • 2013-03-27 - 2017-07-14 - G11C15/04
  • 本发明公开了一种内容可寻址存储器芯片。具体地,提供了能够以低误差执行高速搜索的内容可寻址存储器芯片。匹配放大器区根据匹配线的电压来确定搜索数据与CAM单元阵列的条目中的内容可寻址存储器单元中存储的数据的一致或不一致。匹配放大器区包括一个或多个NMOS晶体管以及一个或多个PMOS晶体管。匹配放大器区具有匹配线的电压的输入的死区,并且具有在匹配放大器区中不存在贯通电流的属性。
  • 用于对具有可变密度的存储器进行寻址的方法和系统-201410522570.7
  • W·S·米朔 - 英飞凌科技股份有限公司
  • 2014-09-30 - 2017-06-30 - G11C15/04
  • 实施例涉及用于对存储器器件进行简化寻址的系统和方法,所述存储器器件的总存储器容量可通过附加存储器容量或因子扩展至总扩展存储器容量,所述方法包括将所述附加存储器容量划分成所述总存储器容量的二进制存储器片段的集合,使得所有二进制存储器片段的总和等于所述附加存储器容量,由基于二进制的寻址方案对所述二进制存储器片段中的每个二进制存储器片段进行寻址。
  • 内容地址存储器及其处理方法-201710076687.0
  • 王晓霞;张呈宇;魏进武 - 中国联合网络通信集团有限公司
  • 2017-02-13 - 2017-06-27 - G11C15/04
  • 本发明提供一种内容地址存储器及其处理方法,其中内容地址存储器包括第一P型晶体管、第二P型晶体管、第一忆阻器、第二忆阻器、第一非门、第二非门、电容、匹配线、写入线、第一数据线和第二数据线;第一P型晶体管与第一忆阻器串联设置在匹配线与写入线之间;第一P型晶体管的控制端通过第一非门与第一数据线连接;第二P型晶体管与第二忆阻器串联设置在匹配线与写入线之间;第二P型晶体管的控制端通过第二非门与第二数据线连接;电容的一端与匹配线连接,另一端与写入线连接。本发明提供的内容地址存储器及其处理方法,有效地简化了电路结构,减小了电路的时延和功耗,提高了查询和写操作的效率。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top