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专利名称

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专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]搜索电路-CN202010470782.0在审
发明人： 松冈秀人 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H04L29/12 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及一种搜索电路，其包括：包括多个条目数据的搜索表、接收搜索关键字并且针对搜索表执行二进制搜索操作的搜索处理单元。多个条目数据中的每个条目数据包括搜索数据、前缀长度数据和搜索结果数据。搜索处理单元根据二进制搜索操作从搜索表中读取多个条目数据之一，基于所读取的条目数据中的搜索数据和前缀长度数据来指定搜索目标范围，确定搜索关键字是否被包括在搜索目标范围内，并且基于确定结果输出所读取的条目数据的搜索结果数据。
搜索电路

[发明专利]搜索电路-CN202010358119.1在审
发明人： 松冈秀人 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G06F16/9535 文献下载
摘要：提供一种能够在抑制存储器芯片的增加的同时有效地执行搜索处理的搜索电路。所述搜索电路包括第一存储器、第二存储器和处理器，处理器使用第一存储器和第二存储器执行二分搜索。根据二分搜索的读取顺序位置，将多个条目数据分为两个搜索阶段组，并存储在每个组的第一存储器和第二存储器中。第二存储器包括根据对应组的搜索阶段的数目提供的多个存储体。每个存储体存储每个搜索阶段的条目数据。
搜索电路

[发明专利]搜索存储器-CN201811615859.8在审
发明人： 松冈秀人 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及搜索存储器。本公开提供了能够抑制芯片面积的增加和电流消耗量的增加的搜索存储器。搜索存储器包括输入控制区段、N个搜索单元和N个第一选择器。输入控制区段接收并行输入的N个(N：两个或更多)搜索数据。N个第一选择器分别与N个搜索单元相关联地设置，以从N个搜索数据中选择两个搜索数据。搜索单元各自包括多个搜索块和M个第二选择器。M个第二选择器选择由第一选择器选择的两个搜索数据中的一个搜索数据。针对N个搜索单元中的至少一个搜索单元，执行分配，使得与N个搜索数据分别相关联的N种类型的条目数据中的两种类型分别存储在搜索块中。
搜索数据搜索单元选择器搜索存储器输入控制搜索电流消耗量条目数据关联地并行存储芯片关联分配

[发明专利]半导体集成电路-CN201510278624.4有效
发明人： 松冈秀人;岸田正信 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本公开涉及半导体集成电路。提供了一种用于减小内容可寻址存储器(CAM)系统的功耗的技术。在CAM系统中，均衡电路被耦连到通过划分对应于一条条目数据的每一个匹配线而产生的多个匹配线部分之间的边界部，并且预充电电路将共同对应于一条条目数据的匹配线部分中的每一个预充电到电压VDD或者VSS。当比较条目数据和搜索数据时，在匹配线部分被预充电电路预充电之后，均衡电路根据控制信号耦连所述匹配线部分。在均衡时段，开始通过搜索线的搜索操作。用于比较搜索数据和条目数据的搜索晶体管包括NMOS搜索晶体管。
半导体集成电路

[发明专利]能够实现稳定的检验方式操作的半导体存储器-CN97115334.5无效
发明人： 松冈秀人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1997-08-04 - 公布日： 2003-09-17 - 主分类号： G11C11/40 文献下载
摘要：半导体存储器在通常操作中，根据分别提供到4个数据输入输出端子上的外部写入数据DQ0～DQ3将数据写入所选择的4个存储单元。另一方面，在检验方式中根据提供到1个数据输入输出端子上的写入数据DQ0将同一数据共同写入所选择的4个存储单元中。在检验方式操作中，通过设置在它们之间的、由检验方式指定信号/TE控制的CMOS逻辑门将其余3个数据输入输出端子与对应的输入缓冲电路之间的信号传输切断。
能够实现稳定检验方式操作半导体存储器

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