[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201310472564.0 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103915562A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 陈维恕 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一电极、第二电极、第三电极、可变电阻层、第一间隙壁与第二间隙壁。可变电阻层包括可变电阻元件介于第一电极、第二电极与第三电极之间。第一间隙壁介于第一电极与第三电极之间。第二间隙壁介于第二电极与第三电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一电极；第二电极；第三电极；可变电阻层，包括可变电阻元件，介于该第一电极、该第二电极与该第三电极之间；第一间隙壁，介于该第一电极与该第三电极之间；以及第二间隙壁，介于该第二电极与该第三电极之间。
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