[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一电极；

第二电极；

第三电极；

可变电阻层，包括可变电阻元件，介于该第一电极、该第二电极与该第三电极之间；

第一间隙壁，介于该第一电极与该第三电极之间；以及

第二间隙壁，介于该第二电极与该第三电极之间。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该半导体结构为电阻式随机存取存储器(RRAM)或电阻式场效晶体管(R-FET)。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一电极与该第二电极其中之一用作源极，该第一电极与该第二电极其中另一用作漏极，该第三电极用作栅极。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一电极与该第二电极其中之一接地，该第一电极与该第二电极其中另一耦接至位线，该第三电极耦接至字符线。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一电极与该第二电极各包括下电极部，该可变电阻层还包括U形可变电阻部，该可变电阻元件从该U形可变电阻部向下延伸超过该第一电极的该下电极部与该第二电极的该下电极部。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该可变电阻层还包括U形可变电阻部，该可变电阻元件从该U形可变电阻部向下延伸，该第三电极位于该U形可变电阻部中。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该可变电阻层还包括U形可变电阻部，该可变电阻元件从该U形可变电阻部向下延伸，该可变电阻层的该可变电阻元件与该U形可变电阻部由半导体或金属氧化物形成并具有多个可电压调控的电阻态。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一电极与该第二电极各包括耦接的下电极部与侧电极部，该可变电阻层的该可变电阻元件邻接在该第一电极的该下电极部与该第二电极的该下电极部之间，

该可变电阻层的该U形可变电阻部通过该第一间隙壁分开自该第一电极的该下电极部与该侧电极部，并通过该第二间隙壁分开自该第二电极的该下电极部与该侧电极部。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该第一电极与该第二电极各包括上电极部，该第一电极的该侧电极部耦接在该第一电极的该上电极部与该下电极部之间，该第二电极的该侧电极部耦接在该第二电极的该上电极部与该下电极部之间，该第一电极与该第二电极的该些下电极部与该些侧电极部的材质不同于该第一电极与该第二电极的该些上电极部的材质。

10.如权利要求8所述的半导体结构，还包括半导体层，其中该第一电极与该第二电极各包括上电极部，该第一电极的该侧电极部耦接在该第一电极的该上电极部与该下电极部之间，该第二电极的该侧电极部耦接在该第二电极的该上电极部与该下电极部之间，该半导体层位在该第一电极与该第二电极的该些上电极部上。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其中该可变电阻层还包括U形可变电阻部，该可变电阻元件从该U形可变电阻部向下延伸，该第一间隙壁与该第二间隙壁各包括邻接的一下介电部与一侧介电部，

该U形可变电阻部通过该第一间隙壁的该下介电部与该侧介电部分开自该第一电极，并通过该第二间隙壁的该下介电部与该侧介电部分开自该第二电极。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其中该可变电阻层还包括U形可变电阻部，该可变电阻元件从该U形可变电阻部向下延伸，该第一间隙壁与该第二间隙壁各包括侧半导体部，

该第一间隙壁的该侧半导体部与该第二间隙壁的该侧半导体部分别位于该U形可变电阻部的相对侧壁上。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其中该可变电阻层的该可变电阻元件与该U形可变电阻部的材质包括氧化铪，该第一间隙壁与该第二间隙壁的该些侧半导体部包括氧化镍。

14.如权利要求1所述的半导体结构，还包括半导体层，其中该可变电阻层还包括U形可变电阻部，该第一电极、该第二电极、该第三电极、该第一间隙壁、该第二间隙壁与该可变电阻层的该U形可变电阻部皆位在该半导体层上，该可变电阻层的该可变电阻元件从该U形可变电阻部向下延伸穿过该第一间隙壁、该第二间隙壁、该第一电极与该第二电极而至该半导体层中。