[发明专利]晶片封装体及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201310445673.3 申请日: 2013-09-25
公开(公告)号: CN103681537A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 黄郁庭;刘沧宇 申请(专利权)人: 精材科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 中国台湾桃园县中*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种晶片封装体及其形成方法,该晶片封装体包括:一基底,具有一第一表面及一第二表面;一感测层,设置于该基底的该第一表面上,其中该感测层具有一感测区;一导电垫结构,设置于该基底上,且电性连接该感测区;一间隔层,设置于该基底的该第一表面之上;一半导体基底,设置于该间隔层之上,其中该半导体基底、该间隔层、及该基底共同于该感测区上围出一空腔;以及一穿孔,自该半导体基底的一表面朝该基底延伸,其中该穿孔连通该空腔。本发明可显著缩减晶片封装体的尺寸,大量生产晶片封装体,并可降低制程成本与时间。
搜索关键词: 晶片 封装 及其 形成 方法
【主权项】:
一种晶片封装体,其特征在于,包括:一基底,具有一第一表面及一第二表面;一感测层,设置于该基底的该第一表面上,其中该感测层具有一感测区;一导电垫结构,设置于该基底上,且电性连接该感测区;一间隔层,设置于该基底的该第一表面之上;一半导体基底,设置于该间隔层之上,其中该半导体基底、该间隔层及该基底共同于该感测区上围出一空腔;以及一穿孔,自该半导体基底的一表面朝该基底延伸,其中该穿孔连通该空腔。
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