[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201310435895.7 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103531684B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 金迎春;徐瑾;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述芯片包括衬底、依次层叠在所述衬底上的n型层、多量子阱层、p型层和电流扩展层、以及设于所述n型层上的n型电极和设于所述电流扩展层上的p型电极，从所述电流扩展层之与所述p型电极接触的区域到所述电流扩展层的边缘，所述电流扩展层的厚度逐渐变薄。本发明通过从电流扩展层之与p型电极接触的区域到电流扩展层的边缘，电流扩展层的厚度逐渐变薄，其片电阻逐渐增加，逐渐增加的片电阻会逐渐减弱横向扩展的电流，防止了电流在电流扩展层的边缘聚集，并且该逐渐变薄的电流扩展层均衡了电流在电流扩展层不同区域的分布，提高了电流的使用效率和芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，所述芯片包括衬底、依次层叠在所述衬底上的n型层、多量子阱层、p型层和电流扩展层、以及设于所述n型层上的n型电极和设于所述电流扩展层上的p型电极，其特征在于，从所述电流扩展层之与所述p型电极接触的区域到所述电流扩展层的边缘，所述电流扩展层的厚度逐渐变薄，所述电流扩展层由氧化铟锡或者镍金合金制成，其中，所述电流扩展层的厚度为所述电流扩展层在沿所述衬底到所述p型层的方向的长度。
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