[发明专利]LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201310430166.2 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN104465895B | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 陈朋;齐胜利 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/20;H01L33/64 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片的制作方法至少包括以下步骤1）提供一透光衬底，在所述透光衬底上自下而上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层；2）对步骤1）获得的结构周围进行刻蚀，形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；3）在所述P型半导体层上形成一反射层；4）在所述反射层上形成P电极层，在所述第一台阶底面上形成N电极层，得到LED芯片。本发明中N电极层形成于LED芯片外围一周，P电极层形成于LED芯片中间并被所述N电极层所环绕，此种结构更有利于电流的均匀扩散，提高发光效率；且LED芯片可直接封装在支架上，制备简单，更有利于芯片的散热，提高芯片的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片的制作方法，其特征在于，所述LED芯片的制作方法至少包括以下步骤：1)提供一透光衬底，在所述透光衬底上自下而上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层；2)对步骤1)获得的结构周围进行刻蚀，形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；3)在所述P型半导体层上形成一反射层；4)在所述反射层上形成P电极层，在所述第一台阶底面上形成N电极层，得到LED芯片；所述N电极层环绕所述P电极层一圈形成闭合图形；5)提供一支架，将所述LED芯片倒装焊接在该支架上，其中，所述支架包括一对支架侧边及连接一对所述支架侧边的P电极导电层，所述支架侧边靠上的位置向外设置有N电极导电层；所述P电极层和N电极层分别与支架的P电极导电层及N电极导电层焊接在一起。
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