[发明专利]一种GaN基HEMT器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种GaN基HEMT器件及其制作方法，器件中衬底、GaN缓冲层与势垒层由下至上设置，第一钝化层在势垒层上，其包括左半钝化层和右半钝化层，分别位于源极与栅极之间、栅极与漏极之间;第二钝化层在第一钝化层上；第一钝化层为增加势垒层张应力的钝化层，第二钝化层为增强势垒层压应力的钝化层。制作方法包括：外延结构生长，形成衬底、GaN缓冲层、势垒层；在势垒层上进行钝化层淀积；将栅极下方的钝化层刻蚀，形成包括左半钝化层以及右半钝化层的第一钝化层；在第一钝化层上进行第二钝化层淀积；定义并淀积栅极。本发明采用双钝化层工艺，栅极下方GaN缓冲层区域二维电子气浓度先增加，再耗尽，避免栅压偏置前栅极下方GaN缓冲层存在二维电子气。

主权项

一种GaN基HEMT器件，其特征在于，所述GaN基HEMT器件包括：衬底、GaN缓冲层、势垒层、第一钝化层、第二钝化层、栅极、源极和漏极，所述衬底、所述GaN缓冲层与所述势垒层由下至上依次设置;所述第一钝化层设置在所述势垒层上，所述第一钝化层包括左半钝化层和右半钝化层，所述左半钝化层位于所述源极与所述栅极之间，所述右半钝化层位于所述栅极与所述漏极之间;所述第二钝化层设置在所述第一钝化层上；其中，所述第一钝化层为增加所述势垒层张应力的钝化层，所述第二钝化层为增强所述势垒层压应力的钝化层。